氟化镁纯度受镁盐影响很大，使用纯度低的镁盐(碳酸镁、氧化镁)生 产氟化镁的主含量一般仅能达到75％，只能满足电解铝用添加剂、冶炼金属镁助熔剂用要求。反应方程式为：碳酸镁法制备氟化镁工艺过程(以菱镁矿为原料)：1、将氢氟酸加入菱镁矿粉浆液中，搅拌反应一段时间，得到氟化镁浆液。如要满足光学透镜、荧光材料使用要求，就需使用高纯度的镁盐，而两种氟化镁指标相差极大。目前，急需寻找一种新的
高纯氟化镁
氟化镁纯度受镁盐影响很大，使用纯度低的镁盐(碳酸镁、氧化镁)生 产氟化镁的主含量一般仅能达到75％，只能满足电解铝用添加剂、冶炼金属镁助熔剂用要求。反应方程式为：碳酸镁法制备氟化镁工艺过程(以菱镁矿为原料)：1、将氢氟酸加入菱镁矿粉浆液中，搅拌反应一段时间，得到氟化镁浆液。如要满足光学透镜、荧光材料使用要求，就需使用高纯度的镁盐，而两种氟化镁指标相差极大。目前，急需寻找一种新的镁盐，以解决高纯度镁盐价格高带来的氟化镁价格高地问题。
随着红外技术在军事上的广泛运用，用氟化镁加工制作的光学仪器除了在中波红外波段具有良好的透光性外，还具有力学强度高、抗热冲击性强、耐化学腐蚀以及各相同性等诸多优点，可用作红外温度探测器、制导器械整流罩及红外激光窗口等。
本公司以过硬的氟化镁产量、稳定的供销渠道、完善的储物流设施、公道的价格赢得市场，现已搭建了遍布范围的销售网络。
氟化镁的蒸汽压较高，原料在提拉法生长的敝开体系中易挥发，因此晶体生长过程需在正压条件下进行。随着大功率激光技术、红外制导技术以及半导体光刻技术的迅猛发展，市场对氟化镁的需求与日剧增，特别是高质量单晶体在可以预见的一段时间内都处于供不应求的状态。首先将晶体生长炉内抽至真空，然后充入高纯气至微正压，待气体均匀后将气抽出，从而将炉内的水分和氧气等杂质排除。该过程重复进行，直到晶体炉内达到真空状态，开始升温至氟化镁烧结料熔化。
热忱欢迎广大新老客户惠顾指导，让我们的氟化镁产品伴随您的事业共的篇章。
氟化镁单晶材料,有天然(氟镁矿)和人工两种。晶型:四方晶系;熔点:1255±3℃。它是一种无色透明的红外光学材料。另外它也是一种没有颜色全透明的红外线光学材料,具备较宽的透过范畴和高的透过率,用以制做红外线光学电子系统中的电子光学棱镜、镜片和对话框元器件。硬度高,机械性能好,化学性能稳定,溶解度甚小,不易潮解和腐蚀。能透过的波段为0.11—7.5μm,可用于制做棱镜、透镜和窗口。还可以做激光晶体的基质材料。随着红外技术在军事上的广泛应用,氟化镁单晶越来越多地被用于军事侦察器件。为了满足防务上的需要,我们采用了坩埚下降法,在高温、真空条件下,生长了氟化镁单晶材料。
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