什么是大功率半导体元件？其用途为何？ 凡是半导体元件如金属氧化场效晶体管(MOSFET)、IGBT(INSULATED GATE B.TRANSISTOR)及TRIAC（可控硅）、SCR（晶闸管）、 GTO等各型闸流体与二极管(DI ODE)等，其工作电流与电压乘积若大于1KW以上，均可属于大功率的范围。如下图片所示。关断时间测试参数：
1、关断时间toff：5～2000ns±3%±3ns
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什么是大功率半导体元件？其用途为何？
凡是半导体元件如金属氧化场效晶体管(MOSFET)、IGBT(INSULATED GATE B.TRANSISTOR)及TRIAC（可控硅）、SCR（晶闸管）、 GTO等各型闸流体与二极管(DI ODE)等，其工作电流与电压乘积若大于1KW以上，均可属于大功率的范围。如下图片所示。关断时间测试参数：
1、关断时间toff：5～2000ns±3%±3ns
2、关断延迟时间td(off)：5～2000ns±3%±3ns
3、下降时间tf：5～2000ns±3%±3ns
4、关断能量：0。此类元件多用于车船，工厂的动力，光电及其他能源的转换上。
安全工作区测试负载电感
电感量 1mH 、10mH、50mH、100mH
电流 通过选择不同档位电感，满足0~200A电流输出需求（10ms）
瞬态电压 大于10kV
负载电感 配备自动切换开关，可分别接通不同电感值，由计算机控制自动接通；自动切换开关参数性能需求与电感要求相匹配。
5）补充充电回路限流电感
限制充电回路中的di/dt。
电感量 100μH
电流能力 6000A （5ms）
瞬时耐压 10kV
工作温度室温～40℃
工作湿度 <70%
2.7测试夹具
1、控制方式：气动控制
2、控温范围：室温—150℃
室温—125℃±1.0℃±3%
125—150℃±1.5℃±3%
3、电源：交流50HZ，220V，功率不大于1000W
4、夹具能安装不同规格的适配器，以测试不同规格的器件，不同模块需要配备不同的适配器，设备出厂时配备62mm封装测试夹具、EconoPACK3封装测试夹具、34mm封装测试夹具各一套，但需甲方提供适配器对应器件的外形图；包装与运输由专人负责，每个部分随机文件包括发货清单、出厂合格证、试验报告和主要器件说明书等。
2.8环境要求
环境温度：15～35℃
相对湿度：小于70%
大气压力：86Kpa～ 106Kpa
压缩空气：不小于0.4MPa
电网电压：AC220V±10%无严重谐波，三线制
电网频率：50Hz±1Hz
IGBT静态参数测试部分主要材料技术要求
1）阈值电压测试电路
阈值电压测试电路（仅示出IEC标准测试电路）
满足表格9测试参数要求
低压开关电源要求：Vcc=12V (针对上图电路)
可调电源：0.1～10V±1%±0.01V；分辨率0.01V
集电极电流测试电路精度：10～50mA±1%±0.5mA；
50～200mA±1%±1mA；200～1000mA±1%±2mA；1000～2000mA±1%±5mA；
2）集射极截止电压/集射极截止电流测试电路
集射极截止电压/发射极截止电流测试电路
高压充电电源：10~2kV连续可调
支撑电容：额定电压2kV
集电极电流ICES：0.01～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～30mA±1%±0.1mA；建议进行高温测试，模拟器件使用工况，更为准确的判断器件老化程度。30～300mA±1%±0.1mA
集电极电压VCES：200～1500V±2%±1V
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