氧化锌（ZnO）是一致熔融化合物,熔点为1975℃。由于高温下氧化锌（ZnO）的挥发性很强，传统的提拉法等熔体生长工艺很难获得氧化锌（ZnO）晶体体单晶。目前,氧化锌（ZnO）晶体体单晶的生长方法主要有缓慢冷却法、水热法和气相生长法。氧化锌（ZnO）单晶是具有六方晶系纤锌矿型化合物的晶体结构的半导体，其可直接跃 迁，禁带宽度(Eg 3. 37eV)大。此外，与其它半导体材料(G
氧化锌晶体单晶批发
氧化锌（ZnO）是一致熔融化合物,熔点为1975℃。由于高温下氧化锌（ZnO）的挥发性很强，传统的提拉法等熔体生长工艺很难获得氧化锌（ZnO）晶体体单晶。目前,氧化锌（ZnO）晶体体单晶的生长方法主要有缓慢冷却法、水热法和气相生长法。氧化锌（ZnO）单晶是具有六方晶系纤锌矿型化合物的晶体结构的半导体，其可直接跃 迁，禁带宽度(Eg 3. 37eV)大。此外，与其它半导体材料(GaN :21meV、ZnSe :20meV)相比， 其激子结合能(ZnO :60meV)非常大，因此，可期待将其用作的发光器件材料。
氧化锌（ZnO）的带边发射在紫外区，非常适宜作为白光LED的激发光源材料，凸显了氧化锌（ZnO）在半导体照明工程中的重要地位，并且与SiC、GaN等其它的宽带隙材料相比，氧化锌（ZnO）具有资源丰富、价格低廉、高的化学和热稳定性，更好的抗辐照损伤能力，适合做长寿命器件等多方面的优势。此外，氧化锌（ZnO）与GaN的物理性能非常接近，其晶格失配度很小，是GaN晶体生长zui理想的衬底材料。
氧化锌（ZnO）的带边发射在紫外区，非常适宜作为白光LED的激发光源材料，凸显了氧化锌（ZnO）在半导体照明工程中的重要地位，氧化锌（ZnO）具有资源丰富、价格低廉、高的化学和热稳定性，更好的抗辐照损伤能力，适合做长寿命器件等多方面的优势。氧化锌（ZnO）晶体随着环境条件的改变形成不同结构的晶体。ZnO晶体中的化学键既有离子键的成分,又有共价键的成分,两种成分的含量差不多,因而使得ZnO晶体中的化学键没有离子晶体那么强,导致其在一定的外界条件下更容易发生晶体结构上的改变。
(1) 大尺寸氧化锌晶体的形态可控生长的关键是控制成核和生长过程。晶核的结晶形态决定着晶体的形态,生长过程的环境条件也影响着晶体的生长过程。反应器中的气相过饱和度等工艺参数影响着大尺寸氧化锌晶体的控制生长
(2) 在氧化时间为90min,空气流量为0.31/min,氮气流量为0.31/min,锌挥发温度为900℃,晶体反应器温度为1150℃时,我们制备出大尺寸的氧化锌晶体,长度达到30mm,直径达到1mm,实现了氧化锌晶体尺寸的可控生长;
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