蚀刻：蚀刻(etching)是将材料使用bai化学反应或物理du撞击作用而移除的技术。蚀刻的原理zhi是氧化还原反应中的置换dao反应：2AgNo3+Cu=Cu(No3)*2+2Ag。利用蚀刻液与铜层反应,蚀去线路板上不需要的铜,得到所要求的线路。蚀刻技术可以分为湿蚀刻(wet etching)和干蚀刻(dry etching)两类。
显影：显影是在印刷、影印、复印、晒图等行业中，让影像
充电宝LOGO曝光显影工厂
蚀刻：蚀刻(etching)是将材料使用bai化学反应或物理du撞击作用而移除的技术。蚀刻的原理zhi是氧化还原反应中的置换dao反应：2AgNo3+Cu=Cu(No3)*2+2Ag。利用蚀刻液与铜层反应,蚀去线路板上不需要的铜,得到所要求的线路。蚀刻技术可以分为湿蚀刻(wet etching)和干蚀刻(dry etching)两类。
显影：显影是在印刷、影印、复印、晒图等行业中，让影像显现的一个过程。通过碱液作用，将未发生光聚合反应之感光材料部分冲掉。显影包括正显影和反转显影。
正显影时，显影色粉所带电荷的极性，与感光鼓表面静电潜像的电荷极性相反。显影时，在感光鼓表面静电潜像是场力的作用下，色粉被吸附在感光鼓上。静电潜像电位越高的部分，吸附色粉的能力越强；静电潜像电位越低的部分，吸附色粉的能力越弱。对应静电潜像电位（电荷的多少）的不同，其吸附色粉量也就不同。多用在模拟复印机中。反转显影中，感光鼓与色粉电荷极性相同。
显影液液温应控制在一定范围内，如果显影液温度低,显影液化学活性降低，溶解感光胶层能力下降，显影不充分，
图文部分的网点百分率比正常的扩大，并且空白部分起脏。 显影液温度过高也会使已曝光的图文部分溶解，网点还原性变差，同时造成耐印力降低。
比较适宜的显影温度范围是20~25℃。显影时间对PS版的显影质量有直接的影响，显影时间不足，非图像部分的感光层不能溶解，会引起版面起脏。
干膜显影性不良，超期使用。上述已讲过光致抗蚀干膜，其结构有三部分构成：聚酯薄膜、光致抗蚀剂膜及聚乙烯保护膜。在紫外光照射下，干膜与铜箔板表面之间产生良好的粘结力，起到抗电镀和抗蚀刻的作用。图形电镀过程中，引起的渗镀的原因分析如下：图形转移是制造高密度多层板的关键控制点bai，也是技术难点，其质量的优劣直接影响多层板的合格率。
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