参数名称 符号 参数名称 符号开通延迟时间 td(on) 关断延迟时间 td(off)上升时间 tr 下降时间 tf开通时间 ton 关断时间 toff开通损耗 Eon 关断损耗 Eoff栅极电荷 Qg 短路电流 ISC / /可测量的FRD动态参数反向恢复电流 IRM 反向恢复电荷 Qrr反向恢复时间 trr 反向恢复损耗 Erec14）工控机及操作系统用于控制及数据处理，采用定制化系统，主要
变频器用IGBT测试仪批发
参数名称 符号 参数名称 符号
开通延迟时间 td(on) 关断延迟时间 td(off)
上升时间 tr 下降时间 tf
开通时间 ton 关断时间 toff
开通损耗 Eon 关断损耗 Eoff
栅极电荷 Qg
短路电流 ISC / /
可测量的FRD动态参数
反向恢复电流 IRM 反向恢复电荷 Qrr
反向恢复时间 trr 反向恢复损耗 Erec
14）工控机及操作系统
用于控制及数据处理，采用定制化系统，主要技术参数要求如下：
机箱：4Μ 15槽上架式机箱；
支持ATX母板；
CPΜ：INTEL双核；
主板：研华SIMB；
硬盘：1TB；内存4G；
3个5.25”和1个3.5”外部驱动器；
集成VGA显示接口、4个PCI接口、6个串口、6个ΜSB接口等。
西门子PLC逻辑控制
15）数据采集与处理单元
用于数据采集及数据处理，主要技术参数要求如下：
示波器;高压探头：满足表格4-11动态参数、短路电流、安全工作区测试需求
电流探头：满足表格4-11动态参数、短路电流、安全工作区测试需求
状态监测：NI数据采集卡
上位机：基于Labview人机界面
数据提取：测试数据可存储为Excel文件及其他用户需要的任何数据格式，特别是动态测试波形可存储为数据格式；所检测数据可传递至上位机处理；从检测部分传输的数据经上位机处理后可自动列表显示相应测试数据；数据处理和状态检测部分内容可扩展
静态及动态测试系统
技术规范
供货范围一览表
序号 名称 型号 单位 数量
1 半导体静态及动态测试系统 HUSTEC-2010 套 1
1范围
本技术规范提出的是限度的要求，并未对所有技术细节作出规定，也未充分引述有关标准和规范的条文，供货方应提供符合工业标准和本技术规范的产品。本技术规范所使用的标准如遇与供货方所执行的标准不一致时，应按较高标准执行。7测试夹具
1、控制方式：气动控制
2、控温范围：室温—150℃室温—125℃±1。
IGBT静态参数测试部分主要材料技术要求
1）阈值电压测试电路
阈值电压测试电路（仅示出IEC标准测试电路）
满足表格9测试参数要求
低压开关电源要求：Vcc=12V (针对上图电路)
可调电源：0.1～10V±1%±0.01V；分辨率0.01V
集电极电流测试电路精度：10～50mA±1%±0.5mA；
50～200mA±1%±1mA；200～1000mA±1%±2mA；1000～2000mA±1%±5mA；
2）集射极截止电压/集射极截止电流测试电路
集射极截止电压/发射极截止电流测试电路
高压充电电源：10~2kV连续可调
培训后，应能达到用户能基本完全独立熟练操作单元进行功率半导体性能测试，并能解决实际工程问题。支撑电容：额定电压2kV
集电极电流ICES：0.01～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～30mA±1%±0.1mA；30～300mA±1%±0.1mA
集电极电压VCES：200～1500V±2%±1V
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