在所有应用产业中,半导体产业对靶材溅射薄膜的要求是苛刻的。如今12英寸(300衄口)的硅晶片已制造出来.而互连线的宽度却在减小。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒,这就要求所制造的靶材具有更好的微观结构。靶材的结晶粒子直径和均匀性已被认为是影响薄膜沉积率的关键因素。钎焊:一般使用软钎料的情况下,要求溅射功率小于20W/cm2,钎料常用In、Sn、In
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在所有应用产业中,半导体产业对靶材溅射薄膜的要求是苛刻的。如今12英寸(300衄口)的硅晶片已制造出来.而互连线的宽度却在减小。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒,这就要求所制造的靶材具有更好的微观结构。靶材的结晶粒子直径和均匀性已被认为是影响薄膜沉积率的关键因素。钎焊:一般使用软钎料的情况下,要求溅射功率小于20W/cm2,钎料常用In、Sn、In-Sn。另外,薄膜的纯度与靶材的纯度关系极大,过99.995%(4N5)纯度的铜靶,或许能够满足半导体厂商0.35pm工艺的需求,但是却无法满足如今0.25um的工艺要求。

任何金属都不能达到纯。“超纯”具有相对的含义,是指技术上达到的标准。
由于技术的发展,也常使 “超纯”的标准升级。“超纯”的相对名词是指“杂质”,广义的杂质是指化学杂质(元素)及“物理杂质”(晶体缺陷),后者是指位错及空位等,而化学杂质是指基体以外的原子以代位或填隙等形式掺入。

但只当金属纯度达到很高的标准时(如纯度9以上的金属),物理杂质的概念才是有意义的,因此目前工业生产的金属仍是以化学杂质的含量作为标准,即以金属中杂质总含量为百万分之几表示。
在传统产业的应用领域中,对于贵金属的需求也随着这些产业的兴衰而出现此起彼落此消彼长,甚至出现行业的淘汰而与贵金属无缘,例如照相用胶卷。科技的进步和发展,使传统产业发生剧烈的变迁,也使贵金属的供求状况出现急剧的变化,这种变化也是导致了贵金属的价格出现剧烈波动的因素之一。然而在传统产业不断的和转型中,贵金属依然成为选择的关键性材料,用更和更科学的工艺和手段,把贵金属的性能发挥得更淋漓尽致。还原制得含稀土99%的稀土金属经真空精炼(包括真空蒸馏或升华)、电传输、区域熔炼、熔盐电解精炼等方法处理除去非稀土杂质后,可获得纯度超过99。

钨-钛(W-Ti)膜以及以钨-钛(W-Ti)为基的合金膜是高温合金膜,具有一系列的优良性能。钨具有高熔点、高强度和低的热膨胀系数等性能,W/ Ti 合金具有低的电阻系数、良好的热稳定性能。如各种器件都需要起到导电作用的金属布线,例如Al 、Cu 和Ag 等已经被广泛的应用和研究。但是布线金属本身易 氧化、易与周围的环境发生反应,与介质层的粘结性差,易扩散进入Si 与SiO2 等器件的衬底材料中,并且在较低的温度下会形成金属与Si 的化合物, 充当了杂质的角色,使器件的性能大幅度下降。所述绝缘橡胶为选自由三元乙丙橡胶、硅橡胶和丁基橡胶构成的组中的至少一种橡胶。

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