（2）主要技术参数
1）基本参数
功率源： 5000V 1200A
2）栅极-发射极漏电流IGES
IGES： 0.1-10uA±2%±0.01uA
集电极电压VCE： 0V
栅极电压Vge： 0-40V±3%±0.1V
3）集电极-发射极电压
集电极电压VCES： 100-5000V±2%±10V
集电极电流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA
栅极电压Vg
风力发电用IGBT测试仪厂家
（2）主要技术参数
1）基本参数
功率源： 5000V 1200A
2）栅极-发射极漏电流IGES
IGES： 0.1-10uA±2%±0.01uA
集电极电压VCE： 0V
栅极电压Vge： 0-40V±3%±0.1V
3）集电极-发射极电压
集电极电压VCES： 100-5000V±2%±10V
集电极电流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA
栅极电压Vge： 0V
4）集电极-发射极饱和电压VCESat
VCESat：0.2-5V
栅极电压Vge： ±15V±2%±0.2V
集电极电流ICE： 10-1200A±2%±1A
5）集电极-发射极截止电流ICES
集电极电压VCE： 100-5000V±3%
集电极电流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA
栅极电压VGE： 0V
6）栅极-发射极阈值电压
VGEth： 1-10V±2%±0.1V
Vce： 12V
集电极电流ICE： 30mA±3%
7）二极管压降测试
VF： 0-5V±2%±0.01V
IF： 0-1200A±2%±1A
Vge： 0V
现今Power MOSFET(金属氧化物场效晶体管)及IGBT（绝缘栅型场效应晶体管）已成为大功率元件的主流，在市场上居于主导地位。由于科技进步，电力电子装置对轻薄短小及之要求 ,带动MOSFET及IGBT的发展，尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换....等领域，使半导体开发技术人员在市场需求下，对大功率元件的发展技术，持续在突破。6双电流脉冲的设置：Vcc,Ic,电感值，间隙时间（10到50us）(脉宽自动计算)。
欲测知元件老化，所须提供的测量范围为何？
当大功率元件在作导通参数的测试时，电流必须大到其所能承受的正常工作值，同时，在作关闭参数的漏电流测试时，电压也必须够高，以元件在真正工作状态下的电流与电压，如此其老化的程度才可显现。当这两个参数通过后，便表示元件基本上良好，再进一步作其他参数的测量，以分辨其中的优劣。关断时间测试参数：
1、关断时间toff：5～2000ns±3%±3ns
2、关断延迟时间td(off)：5～2000ns±3%±3ns
3、下降时间tf：5～2000ns±3%±3ns
4、关断能量：0。建议进行高温测试，模拟器件使用工况，更为准确的判断器件老化程度。
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