LED灯珠芯片结构 LED灯珠芯片是半导体发光器件LED灯珠的核心部件，它主要由(AS)、铝(AL)、(Ga)、铟(IN)、磷(P)、氮(N)、锶(Ｓi)这几种元素中的若干种组成。 LED芯片按发光亮度分类可分为： 一般亮度：R(红色GAaAsP 655nm)、H ( 高红GaP 697nm )、G ( 绿色GaP 565nm )、Y ( 黄色GaAsP/GaP 585
贴片型LED灯珠工厂
LED灯珠芯片结构 LED灯珠芯片是半导体发光器件LED灯珠的核心部件，它主要由(AS)、铝(AL)、(Ga)、铟(IN)、磷(P)、氮(N)、锶(Ｓi)这几种元素中的若干种组成。 LED芯片按发光亮度分类可分为： 一般亮度：R(红色GAaAsP 655nm)、H ( 高红GaP 697nm )、G ( 绿色GaP 565nm )、Y ( 黄色GaAsP/GaP 585nm )、E(桔色GaAsP/ GaP 635nm )等； 高亮度：VG (较亮绿色GaP 565nm )、VY(较亮黄色 GaAsP/ GaP 585nm )、SR( 较亮红色GaA/AS 660nm )； 超高亮度：UG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等。
显然，LED元件的热散失能力是决定结温高低的又一个关键条件。散热能力强时，结温下降，反之，散热能力差时结温将上升。由于环氧胶是低热导材料，因此P—N结处产生的热量很难通过透明环氧向上散发到环境中去，大部分热量通过衬底、银浆、管壳、环氧粘接层， PCB与热沉向下发散。显然，相关材料的导热能力将直接影响元件的热散失效率。一个普通型的LED，从P—N结区到环境温度的总热阻在300到 600℃/w之间，对于一个具有良好结构的功率型LED元件，其总热阻约为15到30℃ /w。巨大的热阻差异表明普通型LED元件只能在很小的输入功率条件下，才能正常地工作，而功率型元件的耗散功率可大到瓦级甚至更高。
LED灯珠焊接过程死灯的原因
静电：
静电可以引起LED功能失效，建议防止ESD损害LED。
A、LED检测和组装时作业人员一定要带防静电手环及防静电的手套。
B、焊接设备和测试设备、工作桌子、贮存架等必须接地良好。
C、使用离子风机消除LED在贮存和组装期间由于磨擦而产生的静电。
D、装LED的料盒采用防静电料盒，包装袋采用静电袋。
E、不要存在侥幸心理，随手去碰触LED.
被ESD损伤的LED会出现的异常现象有：
A、反向漏电，轻者将会引起亮度降低，严重者灯不亮。
B、顺向电压值变小。低电流驱动时LED不能发光。
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