肖特基二极管作用优惠报价

编辑：DD ASEMI新型高压SBD的结构和材料与传统SBD是有区别的。传统SBD是通过金属与半导体接触而构成。金属材料可选用铝、金、钼、镍和钛等，半导体通常为(Si)或(GaAs)。由于电子比空穴迁移率大，为获得良好的频率特性，故选用N型半导体材料作为基片。为了减小SBD的结电容，提高反向击穿电压，同时又不使串联电阻过大，通常是在N+衬底上外延一高阻N-
肖特基二极管作用


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ASEMI新型高压SBD的结构和材料与传统SBD是有区别的。传统SBD是通过金属与半导体接触而构成。金属材料可选用铝、金、钼、镍和钛等，半导体通常为(Si)或(GaAs)。由于电子比空穴迁移率大，为获得良好的频率特性，故选用N型半导体材料作为基片。为了减小SBD的结电容，提高反向击穿电压，同时又不使串联电阻过大，通常是在N+衬底上外延一高阻N-薄层。










ASEMI实用案例，肖特基二极管的一个典型的应用，是在双极型晶体管 BJT 的开关电路里面，通过在 BJT 上连接 Shockley 二极管来箝位，使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截止状态，从而提高晶体管的开关速度。这种方法是 74LS，74ALS，74AS 等典型数字 IC 的 TTL内部电路中使用的技术。




肖特基二极管分为有引线和表面安装(贴片式)两种封装形式。肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属(用钼或铝等材料制成的阻挡层)、二氧化硅(SiO2)电场消除材料、N-外延层(材料)、N型硅基片、N+阴极层及阴极金属等构成。




ASEMI生产肖特基二极管12年，产品型号参数，欢迎详询






MBR1045CT,其中的"C":表示TO-220封装；MBR6045PT,其中的"P":表示TO-3P封装

　　元件的封装形式也在型号的前缀第四位字母中体现，例如：

　　MBRD10100CT:第四位的D,表示贴片DPAK封装

　　MBRB10100CT:第四位的B,表示贴片D2PAK封装

　　MBRF10100CT:第四位的F,表示TO-220全塑封

　　TO-252,也就是贴片DPAK封装；TO-263,也就是贴片D2PAK封装；任何型号的命名都有它的规律性可循。例如：MBR20100CT,型号中就20100是阿拉伯数字，20100中，20是电流，100是电压。以此类推。




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