在高温超导领域，氧化镁晶体作为薄膜生长基片和半导体材料的衬底驻基片同其它材料相比(如金刚石、白蓝宝石等)具有明显的价格优势，且性能良好。单晶氧化镁是指MgO含量在99.95%以上，具有极强的耐高低温（高温2500℃，低温-270℃）抗腐蚀性、绝缘性和良好的导热性和光学性能、无色透明的晶体。氧化镁晶体属于氧化镁高1端产品中的高1级产品，科技含量高，附加值大。
MgO晶体批发
在高温超导领域，氧化镁晶体作为薄膜生长基片和半导体材料的衬底驻基片同其它材料相比(如金刚石、白蓝宝石等)具有明显的价格优势，且性能良好。单晶氧化镁是指MgO含量在99.95%以上，具有极强的耐高低温（高温2500℃，低温-270℃）抗腐蚀性、绝缘性和良好的导热性和光学性能、无色透明的晶体。氧化镁晶体属于氧化镁高1端产品中的高1级产品，科技含量高，附加值大。
氧化镁（MgO）是极1好的单晶基片而广泛应用于制作铁电薄膜、磁学薄膜、光电薄膜和高温超导薄膜等，由于它在微波波段的介电常数和损耗都很小，且能得到的基片（直径2英吋及更大），所以是当前产业化的重要高温超导薄膜单晶基片之一。
主要性能参数 尺寸：10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20，dia2” x 0.33mm dia2” x 0.43mm 15 x 15 mm；厚度：0.5mm，1.0mm；抛光：单面或双面；晶向：<001>±0.5o；晶面定向精度:±0.5°；边缘定向精度:2°（特殊要求可达1°以内）；斜切晶片：可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片；Ra:≤5A（5μm×5μm）。
氧化镁晶体的双折射特性
可集成太赫兹波带片和偏振片是重要的太赫兹光学元器件。由传统的石英晶体及液晶等材料制作的太赫兹波带片和偏振片由于其对太赫兹光响应度低并难于集成而难以应用于太赫兹集成光学领域。为了寻找用以制备可集成太赫兹偏振元件的材料，本工作应用太赫兹焦平面成像方法研究了晶向的氧化镁晶体对太赫兹波段圆偏振光偏振态的影响。
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