金属封装外壳用作封装的底座或散热片时，这种复合材料把热量带到下一级时，并不十分有效，但是在散热方面是极为有效的。这与纤维本身的各向异性有关，纤维取向以及纤维体积分数都会影响复合材料的性能。金属封装外壳压铸成型工艺：全压铸的工艺和塑料制品的生产流程十分相似，都是利用精密模具进行加工，只是材质由塑料改成了融化的金属；CNC与压铸结合工艺；金属封装形式多样、加工灵活，可以和某
金属管壳价钱
金属封装外壳用作封装的底座或散热片时，这种复合材料把热量带到下一级时，并不十分有效，但是在散热方面是极为有效的。这与纤维本身的各向异性有关，纤维取向以及纤维体积分数都会影响复合材料的性能。金属封装外壳压铸成型工艺：全压铸的工艺和塑料制品的生产流程十分相似，都是利用精密模具进行加工，只是材质由塑料改成了融化的金属；CNC与压铸结合工艺；金属封装形式多样、加工灵活，可以和某些部件(如混合集成的A／D或D／A转换器)融合为一体，适合于低I／O数的单芯片和多芯片的用途，也适合于射频、微波、光电、声表面波和大功率器件，可以满足小批量、高可靠性的要求。金属封装材料为实现对芯片支撑、电连接、热耗散、机械和环境的保护，应具备以下的要求：①与芯片或陶瓷基板匹配的低热膨胀系数,减少或避免热应力的产生。
密度大也使Cu／W具有对空间辐射总剂量(TID)环境的优良屏蔽作用，因为要获得同样的屏蔽作用，使用的铝厚度需要是Cu／W的16倍。新型的金属封装材料及其应用除了Cu／W及Cu／Mo以外，传统金属封装材料都是单一金属或合金，它们都有某些不足，难以应对现代封装的发展。可伐可伐合金(Fe-29Ni-17Co，牌号4J29)的CTE与Si、GaAs以及Al2O3、BeO、AIN的CTE较为接近，具有良好的焊接性、加工性，能与硼硅硬玻璃匹配封接，在低功率密度的金属封装中得到广泛的使用。但由于其热导率低，电阻率高，密度也较大，使其广泛应用受到了很大限制。新式的金属封装材料以及运用除开Cu／W及Cu／Mo之外，传统式金属封装材料全是单一金属或铝合金，他们常有一些不够，无法解决当代封裝的发展趋势。金属基复合材料金属封装是采用金属作为壳体或底座，芯片直接或通过基板安装在外壳或底座上，引线穿过金属壳体或底座大多采用玻璃—金属封接技术的一种电子封装形式。它广泛用于混合电路的封装，主要是和定制的气密封装，在许多领域，尤其是在军事及航空航天领域得到了广泛的应用。
传统金属封装材料相比，它们主要有以下优点：①可以通过改变增强体的种类、体积分数、排列方式或改变基体合金，改变材料的热物理性能，满足封装热耗散的要求，甚至简化封装的设计;②材料制造灵活，价格不断降低，特别是可直接成形，避免了昂贵的加工费用和加工造成的材料损耗；金属封装外壳CNC加工开始前，首先需要建模与编程。3D建模的难度由产品结构决定，结构复杂的产品建模较难，需要编程的工序也更多、更复杂。国内外都有Al2O3弥散强化无氧高导铜产品，如美国SCM金属制品公司的Glidcop含有99．7％的铜和0．3％弥散分布的Al2O3。添加Al2O3后，热导率稍有降低，为365W(m-1K-1)，电阻率略微提升，为1．85μΩ·cm，但抗拉强度获得持续上升。加入Al2O3后，热导率稍有减少，为365W(m-1K-1)，电阻率略有增加，为1．85μΩ·cm，但屈服强度得到明显增加。
与传统式金属封装材料对比，他们关键有下列优势：①能够根据改变提高体的类型、体积分数、排序方法或改变常规铝合金，改变材料的热工艺性能，考虑封装热失配的规定，乃至简单化封装的设计方案;②材料生产制造灵便，价钱持续减少，非常是可立即成型，防止了价格昂贵的生产加工花费和生产加工导致的材料耗损；尽管设计师能够选用相近铜的方法处理这个问题，但铜、铝与集成ic、基钢板比较严重的热失配，给封装的热设计产生挺大艰难，危害了他们的普遍应用。1．2
钨、钼Mo的CTE为5．35×10-6K-1，与可伐和Al2O3十分配对，它的导热系数非常高，为138
W(m-K-1)，所以做为气密性封装的基座与可伐的腋角电焊焊接在一起，用在许多中、高功率的金属封装中 Cu／W和Cu／Mo以便减少Cu的CTE，能够将铜与CTE标值较小的化学物质如Mo、W等复合型，获得Cu／W及Cu／Mo金属材料-金属材料复合型材料。这种材料具备高的导电性、传热性能，另外结合W、Mo的低CTE、高韧性特点。加入Al2O3后，热导率稍有减少，为365W(m-1K-1)，电阻率略有增加，为1．85μΩ·cm，但屈服强度得到明显增加。Cu／W及Cu／Mo的CTE能够依据组元相对性成分的转变开展调节，能够用作封装基座、热沉，还能够用作散热器。
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