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封装用IGBT测试仪厂家择优推荐

8)高压大功率开关电流能力 200A隔离耐压 10kV响应时间 150ms脉冲电流 20kA(不小于10ms)工作方式 气动控制工作气压 0.4MPa工作温度 室温~40℃工作湿度 9)尖峰抑制电容 用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。电容容量 200μF分布电感 小于10nH脉冲电流 200A 工作湿度 产品主要有电力半导体器件、组件、模块(包括IGBT器件、
封装用IGBT测试仪厂家

8)高压大功率开关

电流能力 200A

隔离耐压 10kV

响应时间 150ms

脉冲电流 20kA(不小于10ms)

工作方式 气动控制

工作气压 0.4MPa

工作温度 室温~40℃

工作湿度 <70%

9)尖峰抑制电容

用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。

电容容量 200μF

分布电感 小于10nH

脉冲电流 200A

工作湿度 <70%



产品主要有电力半导体器件、组件、模块(包括IGBT器件、新型SiC器件、功率晶闸管及功率整流管等)的检测及可靠性设备,电气自动化设备,电冶、电化学装置,电力半导体变流装置及各种高、中、低频感应加热电源、感应加热炉,晶闸管高压阀组、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驱动器、远距离光电转换软件控制系统、光电脉冲触发板、IGBT的智能高压驱动板等。150~3300VIc集射极电流 1~200A 1~200A±3%±1A。



开通特性测试采用双脉冲测试法。华科智源IGBT测试仪针对IGBT的各种静态参数而研制的智能测试系统。由计算机设定并控制输出集电极电压VCC值到被测器件的测试要求值(一般为被测器件额定电压的1/2),设定±VGG到测试要求值,计算机控制接通开关S1,并控制输出被测双脉冲触发信号,开通和关断被测器件两次,被测器件次开通后,集电极电流IC上升,直至被测器件饱和导通且IC达到测试规定值时,关断被测器件(设为t1时刻),之后电感L经二极管(Q1内部二极管)续流,IC迅速减小,直至IC降为零时,第二次开通被测器件(设为t2时刻),此后电感L中的电流向IC转移,IC迅速上升(若L足够大,t1~t2间隔足够短,L中的电流可视为恒流),直至被测器件再次达到饱和导通时(设为t3时刻),关断被测器件。记录下被测器件IC、VCE以及VGE在t2~t3之间的导通波形,其中,VCE采样到示波器的CH1通道,IC取样到示波器的CH2通道,VGE采样到示波器的CH3通道,示波器通过光通讯方式将测试波形传输给计算机,由计算机对测试波形进行分析与计算,后显示测试结果。





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