氧化锌（ZnO）晶体随着环境条件的改变形成不同结构的晶体。ZnO晶体中的化学键既有离子键的成分,又有共价键的成分,两种成分的含量差不多,因而使得ZnO晶体中的化学键没有离子晶体那么强,导致其在一定的外界条件下更容易发生晶体结构上的改变。氧化锌（ZnO）单晶是具有六方晶系纤锌矿型化合物的晶体结构的半导体，其可直接跃 迁，禁带宽度(Eg 3. 37eV)大。此外，与其它半导
氧化锌晶体价格
氧化锌（ZnO）晶体随着环境条件的改变形成不同结构的晶体。ZnO晶体中的化学键既有离子键的成分,又有共价键的成分,两种成分的含量差不多,因而使得ZnO晶体中的化学键没有离子晶体那么强,导致其在一定的外界条件下更容易发生晶体结构上的改变。氧化锌（ZnO）单晶是具有六方晶系纤锌矿型化合物的晶体结构的半导体，其可直接跃 迁，禁带宽度(Eg 3. 37eV)大。此外，与其它半导体材料(GaN :21meV、ZnSe :20meV)相比， 其激子结合能(ZnO :60meV)非常大，因此，可期待将其用作的发光器件材料。
氧化锌（ZnO）半导体室温带隙为3.37eV,且束缚激子能高达60MeV,使其在紫外半导体光电器件方面具有很大潜在应用价值。诱人的应用前景和制备难度使得ZnO晶体的生长技术成为材料研究的热点。众所周知氧化锌（ZnO）作为宽禁带半导体材料,具有纤锌矿结构,在室温下具有较强的激光发射性能,在光学、电学、磁学、催化以及传感器等方面具有广阔的应用前景。
(1) 大尺寸氧化锌晶体的形态可控生长的关键是控制成核和生长过程。晶核的结晶形态决定着晶体的形态,生长过程的环境条件也影响着晶体的生长过程。反应器中的气相过饱和度等工艺参数影响着大尺寸氧化锌晶体的控制生长
(2) 在氧化时间为90min,空气流量为0.31/min,氮气流量为0.31/min,锌挥发温度为900℃,晶体反应器温度为1150℃时,我们制备出大尺寸的氧化锌晶体,长度达到30mm,直径达到1mm,实现了氧化锌晶体尺寸的可控生长;
在涂料工业中，氧化锌除了具有着色力和遮盖力外，又是涂料中的防腐剂和发光剂;在卫生和食品工业中，氧化锌具有一拨毒、止血的功能，也用于橡皮膏原料;在玻璃工业中，氧化锌用在特种玻璃制品中，在陶瓷工业中，氧化锌用作助熔剂，在印染工业中，氧化锌用作防染剂;在电子工业中，氧化锌既是压敏电阻的主原料，也是磁性、光学等材料的卞要添加剂。
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