华科智源IGBT测试仪针对 IGBT 的各种静态参数而研制的智能测试系统；凡是半导体元件如金属氧化场效晶体管(MOSFET)、IGBT(INSULATEDGATEB。自动化程度高（按照操作人员设定的程序自动工作），计算机可以记录测试结果，测试结果可转化为文本格式存储，测试方法灵活（可测试器件以及单个单元和多单元的模块测试），安全稳定（对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁），具有安全保护
地铁IGBT测试仪厂家
华科智源IGBT测试仪针对 IGBT 的各种静态参数而研制的智能测试系统；凡是半导体元件如金属氧化场效晶体管(MOSFET)、IGBT(INSULATEDGATEB。自动化程度高（按照操作人员设定的程序自动工作），计算机可以记录测试结果，测试结果可转化为文本格式存储，测试方法灵活（可测试器件以及单个单元和多单元的模块测试），安全稳定（对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁），具有安全保护功能，测试速度方便快捷。
表格12动态参数测试部分组成
序号 组成部分 单位 数量
1 可调充电电源 套 1
2 直流电容器 个 8
3 动态测试负载电感 套 1
4 安全工作区测试负载电感 套 1
5 补充充电回路限流电感L 个 1
6 短路保护放电回路 套 1
7 正常放电回路 套 1
8 高压大功率开关 个 5
9 尖峰抑制电容 个 1
10 主回路正向导通晶闸管 个 2
11 动态测试续流二极管 个 2
12 安全工作区测试续流二极管 个 3
13 被测器件旁路开关 个 1
14 工控机及操作系统 套 1
15 数据采集与处理单元 套 1
16 机柜及其面板 套 1
17 压接夹具及其配套系统 套 1
18 加热装置 套 1
19 其他辅件 套 1
9）尖峰抑制电容
用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。
电容容量 200μF
分布电感 小于10nH
脉冲电流 2kA
工作温度 室温～40℃
工作湿度 <70%
11）动态测试续流二极管
用于防止测试过程中的过电压。
反向电压 8000V(2只串联)
-di/dt大于2000A/μs
通态电流 1200A
压降小于1V
浪涌电流大于20kA
反向恢复时间小于2μs
工作温度 室温～40℃
工作湿度 <70%
12）安全工作区测试续流二极管
电子电力产品生产、检修厂——应用本公司测试系统可对所应用到的半导体元器件，尤其对现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试、筛选、分析，以确保出厂产品的稳定性、可靠性。反向电压 12kV(3只串联)
-di/dt 大于2000A/μS
通态电流 1200A
压降 小于1V
浪涌电流 大于20kA
反向恢复时间 小于2μS
工作温度 室温～40℃
工作湿度 <70%
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