金属表面处理是选用金属材料做为罩壳或底座，集成ic立即或根据基板安裝在外壳或底座上，导线越过金属材料罩壳或底座大多数选用夹层玻璃—金属材料封接技术性的一种电子器件封装方式。它普遍用以混和电源电路的封装，主要是和订制的型气密性封装，在很多行业，尤其是在及航天航空行业获得了普遍的运用。因此用碳纤维(高纯石墨化学纤维)提高的铜基高分子材料在高功率主要用途很有力。与铜复合型的原材料
镀铜金属表面处理
金属表面处理是选用金属材料做为罩壳或底座，集成ic立即或根据基板安裝在外壳或底座上，导线越过金属材料罩壳或底座大多数选用夹层玻璃—金属材料封接技术性的一种电子器件封装方式。它普遍用以混和电源电路的封装，主要是和订制的型气密性封装，在很多行业，尤其是在及航天航空行业获得了普遍的运用。因此用碳纤维(高纯石墨化学纤维)提高的铜基高分子材料在高功率主要用途很有力。与铜复合型的原材料沿碳纤维长短方位CTE为-0．5×10-6K-1，热导率600-750W(m-1K-1)，而垂直平分碳纤维长短方位的CTE为8×10-6K-1,热导率为51-59W(m-1K-1)，比沿纤维长度方位的热导率少低一个量级。以便降低瓷器基板上的地应力，设计师可以用好多个较小的基板来替代单一的大基板，分离走线。淬火的全铜因为物理性能差，非常少应用。金属封装外壳压铸的原则就是不浪费，节省时间和成本，但是不利于后期的阳极氧化工艺，还可能留下沙孔流痕等等影响质量和外观的小问题，当然，厂商们都有一个良品率的概念，靠谱的厂商是不会让这些次品流入到后面的生产环节中去的。冷作硬化的全铜尽管有较高的抗拉强度，但在外壳生产制造或密封性时不高的溫度便会使它淬火变软，在开展机械设备冲击性或稳定瞬时速度实验时导致外壳底端形变。
传统金属表面处理及其局限性芯片材料如Si、GaAs以及陶瓷基板材料如A12O3、BeO、AIN等的热膨胀系数(CTE)介于3×10-6-7×10-6K-1之间。金属封装材料为实现对芯片支撑、电连接、热耗散、机械和环境的保护，应具备以下的要求：①与芯片或陶瓷基板匹配的低热膨胀系数,减少或避免热应力的产生；不少低密度、的金属基复合材料非常适合航空、航天用途。金属基复合材料的基体材料有很多种，但作为热匹配复合材料用于封装的主要是Cu基和灿基复合材料。金属封装外壳压铸成型工艺：全压铸的工艺和塑料制品的生产流程十分相似，都是利用精密模具进行加工，只是材质由塑料改成了融化的金属；CNC与压铸结合工艺；+可伐可伐合金(Fe-29Ni-17Co，牌号4J29)的CTE与Si、GaAs以及Al2O3、BeO、AIN的CTE较为接近，具有良好的焊接性、加工性，能与硼硅硬玻璃匹配封接，在低功率密度的金属封装中得到广泛的使用。
金属表面处理在将柱状铝材依照前边评定的胚料尺寸开展激光切割并挤压，这一全过程被称作铝挤，会让铝材挤压以后变成标准的铝板便捷生产加工，另外更为高密度，硬实。由于初始的铝材强度和抗压强度都不足。金属封装多种形式、生产加工灵便，能够和一些构件(如混和集成化的A／D或D／A转化器)结合为一体，合适于低I／O数的单芯片和多集成ic的主要用途，也合适于频射、微波加热、光学、声表面波和大电力电子器件，能够考虑批量生产、销售电价的规定。因此用碳纤维(高纯石墨化学纤维)提高的铜基高分子材料在高功率主要用途很有力。与铜复合型的原材料沿碳纤维长短方向CTE为-0．5×10-6K-1，热导率600-750W(m-1K-1)，而垂直平分碳纤维长短方向的CTE为8×10-6K-1,热导率为51-59W(m-1K-1)，比沿纤维长度方向的热导率少低一个量级。许多密度低的金属基复合材料特别适合航空公司、航空航天主要用途。
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