电子整流器
电子镇流器是集强电( 220伏市电 、弱电( 微电子学技术及电真 空 、光学技术为一体的高科技产品。自80年代中后期以来 ，欧、美、日、韩等国的各大半导体公司相继成功地将脉冲宽度调制( PWM )、开关电源(SMPS) 和有源功率因数校正( PFC) 技术应用到电子镇流器上。如德国西门子公司的TD4812 ，美国德州仪器公司的TL494 ，
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电子整流器
电子镇流器是集强电( 220伏市电 、弱电( 微电子学技术及电真 空 、光学技术为一体的高科技产品。自80年代中后期以来 ，欧、美、日、韩等国的各大半导体公司相继成功地将脉冲宽度调制( PWM )、开关电源(SMPS) 和有源功率因数校正( PFC) 技术应用到电子镇流器上。如德国西门子公司的TD4812 ，美国德州仪器公司的TL494 ，美国摩托罗拉公司的MC34261 以及韩国三星电子的KA7524 等电子镇流器采用上述集成电路后，功率因数可提高到0.9 以上,，总谐波含量(THD) 降至15 % 以下。电子镇流器在世界范围内特别是工业发达得到了迅速的推广应用。在美国己把推广应用电子镇流器用法律形式予以规定，是每三年必须强制更换的产品，以确保安全性和可靠性，年需求量在1 亿只左右。在欧洲和东南亚，电子镇流器同样有相当大的市场, 已成为电光源更新替代的配套产品 。显然，这种i新型的整流器在技术上包含较多要开发的内容，但是它能显示出优点，例如它以非常小的谐波干扰和1的功率因数加载于电网。
硅整流器正向特征
当控制极开路，阳极上加上正向电压时，J1、J3结正偏，但J2结反偏，这与普通PN结的反向特性相似，也只能流过很小电流，这叫正向阻断状态，当电压增加，的特性发生了弯曲，如特性OA段所示，弯曲处的是UBO叫:正向转折电压。
由于电压升高到J2结的雪崩击穿电压后，J2结发生雪崩倍增效应，在结区产生大量的电子和空穴，电子时入N1区，空穴时入P2区。进入N1区的电子与由P1区通过J1结注入N1区的空穴复合，同样，进入P2区的空穴与由N2区通过J3结注入P2区的电子复合，雪崩击穿，进入N1区的电子与进入P2区的空穴各自不能全部复合掉，这样，在N1区就有电子积累，在P2区就有空穴积累，结果使P2区的电位升高，N1区的电位下降，J2结变成正偏，只要电流稍增加，电压便迅速下降，出现所谓负阻特性，见图3的虚线AB段。在发电机组供电时(当接收到一个外部低电压信号时)，应将蓄电池充电电流限制到零。
这时J1、J2、J3三个结均处于正偏，可控硅便进入正向导电状态---通态，此时，它的特性与普通的PN结正向特性相似，中的BC段。
硅整流触发导通
在控制极G上加入正向电压时(见图5)因J3正偏，P2区的空穴时入N2区，N2区的电子进入P2区，形成触发电流IGT。在可控硅的内部正反馈作用(见图2)的基础上，加上IGT的作用，使可控硅提前导通，导致图3的伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。而可控硅整流装置就是利用可控硅的这些特点来更好的控制电流的强弱的装置。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。
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