MBR1045CT采用俄罗斯米克朗(Mikron)高抗冲击能力芯片；其高抗冲击性能尤为显著，框架材质为100％纯铜材料，黑胶部分采用复合材料环氧塑脂材料一次性浇铸成型；采用台湾健鼎的一体化测试设备，减少人工操作环节.在工艺上:二极管制作是使用的健鼎一体化自动生产线设备,全程工艺由电脑控制，模具更为精密完全杜绝毛刺，外观光滑自然美观。
UL为美国安规认证
肖特基二极管常见型号
MBR1045CT采用俄罗斯米克朗(Mikron)高抗冲击能力芯片；其高抗冲击性能尤为显著，框架材质为100％纯铜材料，黑胶部分采用复合材料环氧塑脂材料一次性浇铸成型；采用台湾健鼎的一体化测试设备，减少人工操作环节.在工艺上:二极管制作是使用的健鼎一体化自动生产线设备,全程工艺由电脑控制，模具更为精密完全杜绝毛刺，外观光滑自然美观。
UL为美国安规认证，是世界上安全试验和鉴定机构整流桥
代表安全检检产品运作良率是世界上安全试验和鉴定机构
激光打标，解决油墨丝印易掉色问题，黑胶材质是采用进口环氧塑脂材料
我司技术力量雄厚，可协同用户研发、设计新产品，并可提供现场指导。
“诚信”是强元芯屹立于行业之本，未来，我们仍将恪守“诚信，，务实”的服务理念，不断完 善，努力为客户和公司同仁共创双嬴。
编辑：DD
ASEMI肖特基二极管参数的研发拓展：
ASEMI研制的MBR60100PT MBR60150PT MBR60200PT，是专门为在输出12V~24V的SMPS中替代高频整流FRED而设计的。像额定电流为2×8A的大电流高频率型SBD，起始电压比业界居水平的200V/2×8AFRED(如STRR162CT)低0.07V(典型值为0.47V)，导通电阻RD(125℃)低6.5mΩ(典型值为40mΩ)，导通损耗低0.18W(典型值为1.14W)。
在N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。当在肖特基势垒两端加上正向偏压(阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极)时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小;反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。
采用有引线式封装的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使用。它有单管式和对管(双二极管)式两种封装形式
ASEMI肖特基二极管与快恢复二极管有什么区别
这是两种工艺的芯片技术，势垒工艺肖特基二极管频率比平面硅片的快恢复二极管更高，TRR参数只几nS,基本忽略，正向导通电压低，只零点几伏（低自身功耗），但点压不高，一般只能做到200V，现在ASEMI有做300V的MBR30200PT。更高的参数需求可以详询ASEMI在线客服。
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