（2）主要技术参数
1）基本参数
功率源： 5000V 1200A
2）栅极-发射极漏电流IGES
IGES： 0.1-10uA±2%±0.01uA
集电极电压VCE： 0V
栅极电压Vge： 0-40V±3%±0.1V
3）集电极-发射极电压
集电极电压VCES： 100-5000V±2%±10V
集电极电流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA
栅极电压Vg
封装用IGBT测试仪批发
（2）主要技术参数
1）基本参数
功率源： 5000V 1200A
2）栅极-发射极漏电流IGES
IGES： 0.1-10uA±2%±0.01uA
集电极电压VCE： 0V
栅极电压Vge： 0-40V±3%±0.1V
3）集电极-发射极电压
集电极电压VCES： 100-5000V±2%±10V
集电极电流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA
栅极电压Vge： 0V
4）集电极-发射极饱和电压VCESat
VCESat：0.2-5V
栅极电压Vge： ±15V±2%±0.2V
集电极电流ICE： 10-1200A±2%±1A
5）集电极-发射极截止电流ICES
集电极电压VCE： 100-5000V±3%
集电极电流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA
栅极电压VGE： 0V
6）栅极-发射极阈值电压
VGEth： 1-10V±2%±0.1V
Vce： 12V
集电极电流ICE： 30mA±3%
7）二极管压降测试
VF： 0-5V±2%±0.01V
IF： 0-1200A±2%±1A
Vge： 0V
测试的IGBT参数包括：ICES（漏流）、BVCES（耐压）、IGESF（正向门极漏流）、IGESR（反向门极漏流）、VGETH（门槛电压／阈值）、VGEON（通态门极电压）、VCESAT（饱和压降）、ICON（通态集极漏流）、VF（二极管压降）、GFS（跨导）、rCE（导通电阻）等全直流参数, 所有小电流指标保证1%重复测试精度, 大电流指标保证2%以内重复测试精度。（正本、副本）技术资料，应至少有一份采用中文，另一份技术资料可以是英文或中文。
半导体元件全自动测试系统，可以元件在真正工作状态下的电流及电压，并测量重要参数的数据，再与原出厂指标比较，由此来判定元件的好坏或退化的百分比。每个电流模块，都具有独立的供电系统，以便在测试时，提供内部电路及电池组充电之用；型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试测试、筛选、分析，。 可选购外部高压模块，执行关闭状态参数测试如：各项崩溃电压与漏电流测量达2KV。
11）动态测试续流二极管
用于防止测试过程中的过电压。
压降小于1V
浪涌电流大于20kA
反向恢复时间小于2μs
工作温度 室温～40℃
工作湿度 <70%
12）安全工作区测试续流二极管
浪涌电流 大于20kA
反向恢复时间 小于2μS
工作湿度 <70%
13）被测器件旁路开关
被测安全接地开关，设备不运行时，被测接地。
电流能力 DC 50A
隔离耐压 15kV
响应时间 150ms
工作方式 气动控制
工作气压 0.4MPa
工作湿度 <70%
2.3栅极电荷技术条件
测试参数：
栅极电荷Qg：20nC～100uC
20nC～100nC±5%，分辨率±1nC
100nC～500nC±5%，分辨率±5nC
500nC～2uC±5%，分辨率±10nC
2uC～10uC±5%，分辨率±50nC
10uC～100uC±5%，分辨率±100nC
测试条件：
1、栅极驱动电压：-15V～+15V±3%，分辨率±0.1V
2、集电极电流：50～100A±3%±1A;
100～500A±3%±2A;
500～1000A±3%±5A;
3、集电极电压：50～100V±3%±1V
100～500V±3%±5V
500V～1000V±3%±10V
4、栅极驱动电流：满足5A以下测试要求
（作者： 来源：）
