化学气相沉积的特点
以下内容由沈阳鹏程真空技术有限责任公司为您提供，希望对同行业的朋友有所帮助。
特点
1）在中温或高温下，通过气态的初始化合物之间的气相化学反应而形成固体物质沉积在基体上。
2）可以在常压或者真空条件下(负压“进行沉积、通常真空沉积膜层质量较好）。
）采用等离子和激光辅助技术可以显著地促进化学反应，使沉积可在较低的温度下进行。
气相化学沉积设备厂家
化学气相沉积的特点
以下内容由沈阳鹏程真空技术有限责任公司为您提供，希望对同行业的朋友有所帮助。
特点
1）在中温或高温下，通过气态的初始化合物之间的气相化学反应而形成固体物质沉积在基体上。
2）可以在常压或者真空条件下(负压“进行沉积、通常真空沉积膜层质量较好）。
）采用等离子和激光辅助技术可以显著地促进化学反应，使沉积可在较低的温度下进行。
4）涂层的化学成分可以随气相组成的改变而变化，从而获得梯度沉积物或者得到混合镀层。
5）可以控制涂层的密度和涂层纯度。
6）绕镀件好。可在复杂形状的基体上以及颗粒材料上镀膜。适合涂覆各种复杂形状的工件。由于它的绕镀性能好，所以可涂覆带有槽、沟、孔，甚至是盲孔的工件。
7）沉积层通常具有柱状晶体结构，不耐弯曲，但可通过各种技术对化学反应进行的气相扰动，以改善其结构。
8）可以通过各种反应形成多种金属、合金、陶瓷和化合物涂层。
等离子体增强化学气相沉积的主要过程
沈阳鹏程真空技术有限责任公司生产、销售化学气相沉积，我们为您分析该产品的以下信息。
等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术是借助于辉光放电等离子体使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。由于PECVD技术是通过应气体放电来制备薄膜的，有效地利用了非平衡等离子体的反应特征，从根本上改变了反应体系的能量供给方式。停泵关机12小时后真空度：≤5Pa（采用分子泵抽气，分子泵不配，预留分子泵接口)。一般说来,采用PECVD技术制备薄膜材料时，薄膜的生长主要包含以下三个基本过程：
首先，在非平衡等离子体中，电子与反应气体发生初级反应，使得反应气体发生分解，形成离子和活性基团的混合物；
其二，各种活性基团向薄膜生长表面和管壁扩散输运，同时发生各反应物之间的次级反应；
然后，到达生长表面的各种初级反应和次级反应产物被吸附并与表面发生反应，同时伴随有气相分子物的再放出。
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