IGBT动态参数测试系统技术要求1、设备概述该设备用于功率半导体模块（IGBT、FRD、肖特基二极管等）的动态参数测试，以表征器件的动态特性，通过测试夹具的连接，实现模块的动态参数测试。2、需提供设备操作手册、维修手册、零部件清单、基础图、设备总图、部件装配图、电气原理图、全机润滑系统图、电气接线用、计算机控制程序软件及其他必要的技术文件，设备有通讯模块必须提供通讯协议及其他必要的技术文件，所有资
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IGBT动态参数测试系统技术要求
1、设备概述
该设备用于功率半导体模块（IGBT、FRD、肖特基二极管等）的动态参数测试，以表征器件的动态特性，通过测试夹具的连接，实现模块的动态参数测试。
2、需提供设备操作手册、维修手册、零部件清单、基础图、设备总图、部件装配图、电气原理图、全机润滑系统图、电气接线用、计算机控制程序软件及其他必要的技术文件，设备有通讯模块必须提供通讯协议及其他必要的技术文件，所有资料必须准备（正本、副本）各一份，电子版一份；（正本、副本）技术资料，应至少有一份采用中文，另一份技术资料可以是英文或中文。用户能对旧品元件作筛选，留下可用元件，确实掌握设备运转的可靠度。
2.3栅极电荷技术条件
测试参数：
栅极电荷Qg：20nC～100uC
20nC～100nC±5%，分辨率±1nC
100nC～500nC±5%，分辨率±5nC
500nC～2uC±5%，分辨率±10nC
2uC～10uC±5%，分辨率±50nC
10uC～100uC±5%，分辨率±100nC
测试条件：
1、栅极驱动电压：-15V～+15V±3%，分辨率±0.1V
2、集电极电流：50～100A±3%±1A;
100～500A±3%±2A;
500～1000A±3%±5A;
3、集电极电压：50～100V±3%±1V
100～500V±3%±5V
500V～1000V±3%±10V
4、栅极驱动电流：满足5A以下测试要求
2.7测试夹具
1、控制方式：气动控制
2、控温范围：室温—150℃
室温—125℃±1.0℃±3%
125—150℃±1.5℃±3%
3、电源：交流50HZ，220V，功率不大于1000W
4、夹具能安装不同规格的适配器，以测试不同规格的器件，不同模块需要配备不同的适配器，设备出厂时配备62mm封装测试夹具、EconoPACK3封装测试夹具、34mm封装测试夹具各一套，但需甲方提供适配器对应器件的外形图；集成VGA显示接口、4个PCI接口、6个串口、6个ΜSB接口等。
2.8环境要求
环境温度：15～35℃
相对湿度：小于70%
大气压力：86Kpa～ 106Kpa
压缩空气：不小于0.4MPa
电网电压：AC220V±10%无严重谐波，三线制
电网频率：50Hz±1Hz
3.1开通时间Ton测试原理框图
图3-1开通时间测试原理框图
其中：Vcc 试验电压源
±VGG 栅极电压
C1 箝位电容
Q1 陪测器件（实际起作用的是器件中的续流二极管）
L 负载电感 ：100uH、200uH、500uH、1000uH自动切换
IC 集电极电流取样电流传感器
DUT 被测器件
开通时间定义（见下图）：栅极触发信号第二个脉冲上升的10%到集电极电流IC上升到10%的时间间隔为开通延迟时间td （on） ，集电极电流IC上升的10%到90%的时间间隔即为电流上升时间tr ，则ton= td （on）+tr
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