LED灯珠芯片结构 LED灯珠芯片是半导体发光器件LED灯珠的核心部件，它主要由(AS)、铝(AL)、(Ga)、铟(IN)、磷(P)、氮(N)、锶(Ｓi)这几种元素中的若干种组成。 LED芯片按发光亮度分类可分为： 一般亮度：R(红色GAaAsP 655nm)、H ( 高红GaP 697nm )、G ( 绿色GaP 565nm )、Y ( 黄色GaAsP/GaP 585
0805白光led灯珠现货
LED灯珠芯片结构 LED灯珠芯片是半导体发光器件LED灯珠的核心部件，它主要由(AS)、铝(AL)、(Ga)、铟(IN)、磷(P)、氮(N)、锶(Ｓi)这几种元素中的若干种组成。 LED芯片按发光亮度分类可分为： 一般亮度：R(红色GAaAsP 655nm)、H ( 高红GaP 697nm )、G ( 绿色GaP 565nm )、Y ( 黄色GaAsP/GaP 585nm )、E(桔色GaAsP/ GaP 635nm )等； 高亮度：VG (较亮绿色GaP 565nm )、VY(较亮黄色 GaAsP/ GaP 585nm )、SR( 较亮红色GaA/AS 660nm )； 超高亮度：UG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等。
灯珠焊线时，线没有焊好导致灯珠漏电。比如说线被焊偏，虚焊，焊线拉力设置不当，这些都会出现灯珠漏电的现象，这个问题也是比较常见，只要平时多加注意就可避免此类问题的发生。
底胶过高过厚导致漏电，这个就不多讲，常识性问题。
工艺不当，造成芯片开裂等，比如，灯珠在焊线时，由于焊线机操作不当导致磁嘴焊线时压力过大，导致芯片发生损伤，使芯片开裂等。
LED灯珠死灯是影响产品、可靠性的关健，如何减少和杜绝死灯，提高产品和可靠性，是封装、应用企业需要解决的关键问题。
静电对LED芯片造成损伤
静电对LED芯片造成损伤，使LED芯片的PN结失效，漏电流增大，变成一个电阻静电是一种危害极大的，全世界因为静电损坏的电子元器件不计其数，造成数千万美元的经济损失。所以防止静电损坏电子元器件，是电子行业一项很重要的工作，LED封装、应用的企业千万不要掉以轻心。
人体静电对LED灯珠的损害也是很大的，工作时应穿防静电服装，配带静电环，静电环应接地良好，有一种不须要接地的静电环防静电的效果不好，建议不使用配带该种产品，如果工作人员违反操作规程，则应接受相应的警示教育，同时也起到告示他人的作用。
led灯珠的质量好坏关系到;封装技术,金线,胶水,分光技术,烘烤技术,还有芯片原材料的质量等这些都会影响到led灯珠的质量。
LED灯珠的只要看一致性 光衰 和效应
led结温就是：LED的基本结构是一个半导体的P—N结。实验指出，当电流流过LED元件时，P—N结的温度将上升，严格意义上说，就把P—N结区的温度定义为LED的结温。通常由于元件芯片均具有很小的尺寸，因此我们也可把LED芯片的温度视之为结温。
2、LED灯珠结温产生的原因是什么？
在灯珠工作时，可存在以下五种情况促使结温不同程度的上升：
a、元件不良的电极结构，视窗层衬底或结区的材料以及导电银胶等均存在一定的电阻值，这些电阻相互垒加，构成LED元件的串联电阻。当电流流过P—N结时，同时也会流过这些电阻，从而产生焦耳热，引致芯片温度或结温的升高。
b、由于P—N结不可能极端，元件的注人效率不会达到，也即是说，在LED工作时除P区向N区注入电荷(空穴)外，N区也会向P区注人电荷 (电子)，一般情况下，后一类的电荷注人不会产生光电效应，而以发热的形式消耗掉了。即使有用的那部分注入电荷，也不会全部变成光，有一部分与结区的杂质或缺陷相结合，终也会变成热。
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