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凭借较小的导通电阻及其在高温下的性能凭借较小的导通电阻及其在高温下的性能，如今 SiC 已成为下一代低损耗开关和阻断元件可行的候选材料。相较于硅器件，SiC 器件具有众多优势，因为后者具有更高的击穿电压及其他特性，包括：临界电场击穿电压更高，因而在给定的额定电压下工作时漂移层更薄，大幅减小导通电阻。导热率更高，因而在横截面
交流恒流源
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凭借较小的导通电阻及其在高温下的性能
凭借较小的导通电阻及其在高温下的性能，如今 SiC 已成为下一代低损耗开关和阻断元件可行的候选材料。相较于硅器件，SiC 器件具有众多优势，因为后者具有更高的击穿电压及其他特性，包括：临界电场击穿电压更高，因而在给定的额定电压下工作时漂移层更薄，大幅减小导通电阻。导热率更高，因而在横截面上可以实现更高的电流密度。带隙更宽，因而高温下的漏电流较小。因此，SiC 二极管和 FET 常称为宽带隙 (WBG) 器件。
直流开关电源就是用通过电路控制开关管进行高速的导通与截止
直流开关电源就是用通过电路控制开关管进行高速的导通与截止，将直流电转化为高频率的交流电提供给变压器进行变压，从而产生所需要的一组或多组电压！转化为高频交流电的原因是高频交流在变压器变压电路中的效率要比50HZ高很多，所以开关变压器可以做的很小，而且工作时不是很热！！成本很低，如果不将50HZ变为高频那开关电源就没有意义。交流电源输入经整流滤波成直流；
高频开关直流电源是以进口IGBT作为主功率器件
高频开关直流电源是以进口IGBT作为主功率器件，以超微晶（又称纳米晶）软磁合金材料为主变压器铁芯，主控制系统采用了多环控制技术，结构上采取了防盐雾酸化措施。电源产品结构合理，可靠性强。该电源以其体积小、重量轻、、高可靠的优越性能成为可控硅电源的更新换代产品。适用于实验、氧化、电解、镀锌、镀镍、镀锡、镀铬、光电、冶炼、化成、腐蚀等各种精密表面处理场所。在阳极氧化、真空镀膜、电解、电泳、水处理、电子产品老化、电加热、电化学等方面也得到用户一致好评。
高频开关直流电源应用特点
高频开关直流电源应用特点：1、降低孔隙率，晶核的形成速度大于成长速度，促使晶核细化。2、改善结合力，使钝化膜击穿，有利于基体与镀层之间牢固的结合。3、改善覆盖能力和分散能力，高的阴极负电位使普通电镀中钝化的部位也能沉积，减缓形态复杂零件的突出部位由于沉积离子过度消耗而带来的“烧焦”“树枝状”沉积的缺陷，对于获得一个给定特性镀层（如颜色、无孔隙等）的厚度可减少到原来1/3~1/2，节省原材料。
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