光刻胶的应用
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模拟半导体(Analog Semiconductors)发光二极管(Light-Emitting Diodes LEDs)微机电系统(Microelectromechanical Systems MEMS)太阳能光伏(Solar Photovoltaics PV)微流道和生物芯片(Microfl
NR29 25000P光刻胶价格
光刻胶的应用
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模拟半导体(Analog Semiconductors)发光二极管(Light-Emitting Diodes LEDs)微机电系统(Microelectromechanical Systems MEMS)太阳能光伏(Solar Photovoltaics PV)微流道和生物芯片(Microfluidics & Biochips)光电子器件/光子器件(Optoelectronics/Photonics)封装(Packaging)
光刻胶工艺
主要用于半导体图形化工艺,是半导体制造过程中的重要步骤。光刻工艺利用化学反应原理把事先制备在掩模上的图形转印到晶圆,完成工艺的设备光刻机和光刻胶都是占半导体芯片工厂资产的大头。
在目前比较主流的半导体制造工艺中,一般需要40 步以上独立的光刻步骤,贯穿了半导体制造的整个流程,光刻工艺的程度决定了半导体制造工艺的程度。光刻过程中所用到的光刻机是半导体制造中的核心设备。目前,ASML 的NXE3400B售价在一亿欧元以上,媲美一架F35 战斗机。
按曝光波长,光刻胶可分为紫外(300~450 nm)光刻胶、深紫外(160~280 nm)光刻胶、极紫外(EUV,13.5 nm)光刻胶、电子束光刻胶、离子束光刻胶、X射线光刻胶等。按照应用领域的不同,光刻胶又可以分为印刷电路板(PCB)用光刻胶、液晶显示(LCD)用光刻胶、半导体用光刻胶和其他用途光刻胶。PCB光刻胶技术壁垒相对其他两类较低,而半导体光刻胶代表着光刻胶技术水平。
赛米莱德本着多年光刻胶行业经验,专注光刻胶研发定制与生产,的光刻胶生产设备和技术,建立了严格的产品生产体系,想要更多的了解,欢迎咨询图片上的热线电话!!!
光刻胶成分介绍
以下内容由赛米莱德为您提供,今天我们来分享光刻胶的相关内容,希望对同行业的朋友有所帮助!
光刻开始于-种称作光刻胶的感光性液体的应用。 图形能被映射到光刻胶上,然后用一个developer就能做出需要的模板图案。 光刻胶又称光致抗蚀剂,以智能管感光材料,在光的照射与溶解度发生变化。
光刻胶成份
光刻胶通常有三种成分:感光化合物、基体材料和溶剂。在感光化合物中有时还包括增感剂。根据光刻胶按照如何响应紫外光的性可以分为两类:负性光刻胶和正性光刻胶。
1、负性光刻胶
主要有聚酯胶和环化橡胶系两大类,前者以柯达公司的KPR为代表,后者以OMR系列为代表。
2、正性光刻胶
主要以重氮醌为感光化合物,以酚醛树脂为基体材料。常用的有AZ- 1350系列。正胶的主要优点是分辨率高,缺点是灵敏度、而刻蚀性和附着性等较差。
光刻胶的特点
1、在光的照射下溶解速率发生变化,利用曝光区与非曝光区的溶解速率差来实现图形的转移;
2、溶解抑制/溶解促进共同作用;
3、作用的机理因光刻胶胶类型不同而不同;
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