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大功率IGBT测试仪价格点击了解更多【华科智源】

1.1 设备数量 1套 * 1.2 设备功能 测试功率半导体器件静态参数 * 1.3 设备组成 设备包含硬件模块和软件模块两大部分 * 1.4 硬件模块 设备硬件部分应包括测试主机、测试线缆,测试夹具、控制电脑等 * 1.5 软件模块 设备软件部分应包括: 1.操作系统、备份、保存、远程控制编辑、上传、故障自检报警等基本功能; 2. 图形化操作界面;中/英文操作系统 3.输出EXCEL、wor测
大功率IGBT测试仪价格

1.1 设备数量 1套 * 1.2 设备功能 测试功率半导体器件静态参数 * 1.3 设备组成 设备包含硬件模块和软件模块两大部分 * 1.4 硬件模块 设备硬件部分应包括测试主机、测试线缆,测试夹具、控制电脑等 * 1.5 软件模块 设备软件部分应包括: 1.操作系统、备份、保存、远程控制编辑、上传、故障自检报警等基本功能; 2. 图形化操作界面;中/英文操作系统 3.输出EXCEL、wor测试报告 *4.切换大小功率测试模块,达到相应测试精度 *5.可生成器件的I-V特性曲线,曲线上测试点数据可以导出到EXCEL表格; *6.同一测试条件的器件的测试曲线可以在软件内进行对比,新测曲线可以与原测曲线进行对比;大功率Igbt模块测试系统简介我公司所设计生产的半导体元件自动测试系统具备下列测试能力:☆可单机独立操作,测试范围达2000V及50A。 2、设备尺寸 2.1 设备总体长度 ≤ 700 mm 2.2 设备总体宽度 ≤600mm 2.3 设备总体高度 ≤500mm



3.6 VCES 集射极截止电压 0~5000V 集电极电流ICES: 0.01~1mA±3%±0.001mA; 1~10mA±2%±0.01mA; 10~50mA±1%±0.1mA; 集电极电压VCES: 0-5000V±1.5%±2V; * 3.7 ICES 集射极截止电流 0.01~50mA 集电极电压VCES: 50~500V±2%±1V; 500~5000V±1.5%±2V; 集电极电流ICES: 0.001~1mA±3%±0.001mA; 1~10mA±2%±0.01mA; 10~150mA±1%±0.1mA; * 3.8 VCE(sat) 饱和导通压降 0.001~10V 集电极电流ICE: 0-1600A 集电极电压VCEs: 0.001~10V±0.5%±0.001V 栅极电压Vge: 5~40V±1%±0.01V 集电极电流ICE: 0~100A±1%±1A; 100~1600A±2%±2A; * 3.9 Iges 栅极漏电流 0.01~10μA 栅极漏电流IGEs: 0.01~10μA±2%±0.005μA 栅极电压Vge: ±1V~40V±1%±0.1V; Vce=0V;1电压源:220VAC±10%,50Hz/60Hz20ARMS。 * 3.10 VF 正向特性测试 0.1~5V 二极管导通电压Vf: 0.1~5V±1%±0.01V 电流IF: 0~100A±2%±1A; 100~1600A±1.5%±2A;



2.3栅极电荷技术条件 测试参数: 栅极电荷Qg:20nC~100uC 20nC~100nC±5%,分辨率±1nC 100nC~500nC±5%,分辨率±5nC 500nC~2uC±5%,分辨率±10nC 2uC~10uC±5%,分辨率±50nC 10uC~100uC±5%,分辨率±100nC 测试条件: 1、栅极驱动电压:-15V~+15V±3%,分辨率±0.1V 2、集电极电流:50~100A±3%±1A; 100~500A±3%±2A; 500~1000A±3%±5A; 3、集电极电压:50~100V±3%±1V 100~500V±3%±5V 500V~1000V±3%±10V 4、栅极驱动电流:满足5A以下测试要求





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