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如何判断一只肖特基二极管的好坏呢？应该如何检测呢？下面一起为大家讲解一下。
通过一个实例来介绍检测肖特基二极管的方法。检测内容包括:①识别电极;②检查管子的单向导电性;③测正向导压降VF;④测量反向击穿电压VBR。
被测管为常见的to-220封装肖特基管，共有三个管脚，将管脚按照正面(字面朝向人)从左至右顺序编上
肖特基二极管特性
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如何判断一只肖特基二极管的好坏呢？应该如何检测呢？下面一起为大家讲解一下。
通过一个实例来介绍检测肖特基二极管的方法。检测内容包括:①识别电极;②检查管子的单向导电性;③测正向导压降VF;④测量反向击穿电压VBR。
被测管为常见的to-220封装肖特基管，共有三个管脚，将管脚按照正面(字面朝向人)从左至右顺序编上序号①、②、③。然后选择500型万用表的R×1档进行测量，通断电可显示不同示数，根据示数就可以判断这款肖特基二极管的好坏了。
为了获得正向压降低和反向漏电流小的SiCSBD，采用Ni接触与Ti接触相结合、高/低势垒双金属沟槽(DMT)结构的SiCSBD设计方案是可行的。采用这种结构的SiCSBD，反向特性与Ni肖特基整流器相当，在300V的反向偏压下的反向漏电流比平面型Ti肖特基整流器小75倍，而正向特性类似于NiSBD。采用带保护环的6H-SiCSBD，击穿电压达550V。
肖特基二极管属于低功耗、大电流、超高速半导体器件，其反向恢复时间可小到几纳秒，正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安。
肖特基二极管与PN结二极管在构造原理上有一定区别。这种管子的缺点是反向耐压较低，一般不超过100V，适宜在低电压、大电流的条件下工作。液晶彩电DC-DC变换器中的二极管一般采用的就是肖特基二极管。
需要说明的是，很多肖特基二极管和快恢复二极管有三只引脚，外形酷似晶体管。其实，这是一种内含两个肖特基二极管的复合二极管，其中一只脚为公共正极，另两只脚分别为两只二极管的负极，可用万用表方便地进行判断，
什么是肖特基二极管？有何特点意义？
SBD具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，仅约100V，以致于限制了其应用范围。像在开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V～1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等，只有使用恢复外延二极管（FRED）和超恢复二极管（UFRD）。目前UFRD的反向恢复时间Trr也在20ns以上，根本不能满足像空间站等领域用1MHz～3MHz的SMPS需要。即使是硬开关为100kHz的SMPS，由于UFRD的导通损耗和开关损耗均较大，壳温很高，需用较大的散热器，从而使SMPS体积和重量增加，不符合小型化和轻薄化的发展趋势。因此，发展100V以上的高压SBD，一直是人们研究的课题和关注的热点。近几年，SBD已取得了突破性的进展，150V和200V的高压SBD已经上市，使用新型材料制作的超过1kV的SBD也研制成功，从而为其应用注入了新的生机与活力。
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