华科智源IGBT测试仪制造标准
华科智源IGBT测试仪HUSTEC-1200A-MT除满足本技术规格书的要求外，在其设计、制造、试验、检定等制程中还应满足以下标准的版本。且变流器由多个模块组成，由于个体差异，大电流情况下的参数也会存在个体差异。
GB/T 29332-2012 半导体器件分立器件第9 部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
GB 13869-2008 用电安全导则
GB19517-20
大功率IGBT测试仪价格
华科智源IGBT测试仪制造标准
华科智源IGBT测试仪HUSTEC-1200A-MT除满足本技术规格书的要求外，在其设计、制造、试验、检定等制程中还应满足以下标准的版本。且变流器由多个模块组成，由于个体差异，大电流情况下的参数也会存在个体差异。
GB/T 29332-2012 半导体器件分立器件第9 部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
GB 13869-2008 用电安全导则
GB19517-2004 电器设备安全技术规范
GB 4208-2008 外壳防护等级（IP 代码）（IEC 60529：2001，IDT）
GB/T 191-2008 包装储运图示标志
GB/T 15139-1994 电工设备结构总技术条件
GB/T 2423 电工电子产品环境试验
GB/T 3797-2005 电气控制设备
GB/T 4588.3-2002 印制板的设计和使用
GB/T 9969-2008 工业产品使用说明书总则
GB/T 6988-2008 电气技术用文件的编制
GB/T 3859.3 半导体变流器变压器和电抗器
GB/T 4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路第2 部分:整流二极管
4验收和测试
1)验收由双方共同参加，按照技术规范书的技术要求逐项完成所有测试项，检验单元是否功能、模块完整、正常运行。由卖方现场安装、测试，买方确认测试合格通过后完成验收。
2)卖方负责组织和实施整个单元的组装、调试、系统集成工作；负责免费培训并提供培训教材。培训后，应能达到用户能基本完全独立熟练操作单元进行功率半导体性能测试，并能解决实际工程问题。Eon、Eoff开通/关断能量 1～5000mJ 1～50mJ±2%±0。
4验收和测试
3)验收试验应在-10～40℃环境温度下进行，验收完成后测试平台及外部组件和装置均应安装在买方的位置上。
4)测试单元发货到买方前，卖方应进行出厂试验。卖方出厂试验详细方案应提前提交买方评估，通过买方评估合格后实施方可视为有效试验。买方有权要求卖方委托第三方进行有关参数的测试，以确保出厂测试的参数真实有效。否则，需按买方提出的修改意见重新制定出厂试验方案，直至买方评估合格。
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