华科智源IGBT测试仪制造标准
华科智源IGBT测试仪HUSTEC-1200A-MT除满足本技术规格书的要求外，在其设计、制造、试验、检定等制程中还应满足以下标准的版本。每个电流模块，都具有独立的供电系统，以便在测试时，提供内部电路及电池组充电之用。
GB/T 29332-2012 半导体器件分立器件第9 部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
GB 13869-2008 用电安全导则
GB19517
变频器用IGBT测试仪厂家
华科智源IGBT测试仪制造标准
华科智源IGBT测试仪HUSTEC-1200A-MT除满足本技术规格书的要求外，在其设计、制造、试验、检定等制程中还应满足以下标准的版本。每个电流模块，都具有独立的供电系统，以便在测试时，提供内部电路及电池组充电之用。
GB/T 29332-2012 半导体器件分立器件第9 部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
GB 13869-2008 用电安全导则
GB19517-2004 电器设备安全技术规范
GB 4208-2008 外壳防护等级（IP 代码）（IEC 60529：2001，IDT）
GB/T 191-2008 包装储运图示标志
GB/T 15139-1994 电工设备结构总技术条件
GB/T 2423 电工电子产品环境试验
GB/T 3797-2005 电气控制设备
GB/T 4588.3-2002 印制板的设计和使用
GB/T 9969-2008 工业产品使用说明书总则
GB/T 6988-2008 电气技术用文件的编制
GB/T 3859.3 半导体变流器变压器和电抗器
GB/T 4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路第2 部分:整流二极管
测试参数多且完整、应用领域更广泛，但只要使用其基本的2项功能：「开启」电流压降，「关闭」电流的漏电流，就可知道大功半导体有没有老化的现象。
可移动型仪器，使用方便，测试简单，立即提供测试结果与数值。
适用的半导体元件种类多，尤其能测大功率元件。
用户能确实掌握新采购元件的质量，避免用到瑕疵或品。
完全由计算机控制、的设定参数。
适用于实验室和老化筛选的测试。
操作非常简单、速度快。
完全计算机自动判断、自动比对。
其中：Vcc 试验电压源
±VGG 栅极电压
C1 箝位电容
Q1 陪测器件（实际起作用的是器件中的续流二极管）
L 负载电感 ：100uH、200uH、500uH、1000uH自动切换
IC 集电极电流取样电流传感器
DUT 被测器件
关断时间采用单脉冲测试，由计算机设定并控制输出集电极电压VCC值到被测器件的测试要求值（一般为被测器件额定电压的1/2），设定±VGG到测试要求值，开关被测器件DUT一次，被测器件的开冲持续时间必须保证DUT完全饱和，同时监测集电极电流IC、栅极-发射极电压VGE和集电极-发射极电压VCE，记录下被测器件IC、VCE以及VGE的波形，其中，VCE采样到示波器的CH1通道，IC取样到示波器的CH2通道，VGE采样到示波器的CH3通道，示波器通过光通讯方式将测试波形传输给计算机，由计算机对测试波形进行分析与计算，后显示测试结果。卖方由于自身原因而延迟交货时，买方有权按商务规定方法向卖方收取罚款。
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