KP：平面机电耦合系数
反映薄圆片沿厚度方向极化和电激励，作径向伸缩振动时机电耦合效应的参数。
K31：横向机电耦合系数
反映细长条沿厚度方向极化和电激励，做长度伸缩振动时机电耦合效应的参数
KP：平面机电耦合系数
反映薄圆片沿厚度方向极化和电激励，作径向伸缩振动时机电耦合效应的参数。
K31：横向机电耦合系
压电陶瓷片质量好
KP：平面机电耦合系数
反映薄圆片沿厚度方向极化和电激励，作径向伸缩振动时机电耦合效应的参数。
K31：横向机电耦合系数
反映细长条沿厚度方向极化和电激励，做长度伸缩振动时机电耦合效应的参数
KP：平面机电耦合系数
反映薄圆片沿厚度方向极化和电激励，作径向伸缩振动时机电耦合效应的参数。
K31：横向机电耦合系数
反映细长条沿厚度方向极化和电激励，做长度伸缩振动时机电耦合效应的参数
但在实际的操作过程中,中低温烧结的温度降低是有限的,低温工艺会提高PZT粉体制备的成本;添加剂的加入容易引入第二相,易降低其电学性能.研究表明[12],研究者常采用加入过量的氧化铅成分来弥补铅的损失.加入过量的氧化铅在烧结时呈现液相,有助于粉体的致密化行为,但却降低了烧结体的致密度.又由于在PbO液相中TiO2溶解度大于ZrO2的溶解度,过量的氧化铅有可能使烧结的PZT陶瓷中钛含量偏高.而铅的热损失机理有待于进一步研究.
为了适应各种不同的用途和要求,国内外对PZT陶瓷进行了广泛的掺杂改性研究.PZT压电陶瓷的掺杂改性主要有以下几个方面:
.1 软性掺杂 这种掺杂是指La3+、Bi3+、Nb5+、W6+等离子分别置换Pb2+或(Zr,Ti)4+等离子,在晶格中形成一定量的正离子缺位(主要是A位),由此导致晶粒内畴壁容易移动,结果使矫顽场降低,使陶瓷的极化变得容易,因而相应地提高了压电性能.但空位的存在增加了陶瓷内部的弹性波的衰减,引起机械因数Qm和电气因数Qe的降低,但其介电损耗增大,因而这类掺杂的PZT压电陶瓷通常称为“软性”PZT压电陶瓷,适于制备高灵敏度
.2 硬性掺杂 这类掺杂与离子软性掺杂的作用相反:离子置换后在晶格中形成一定量的负离子(氧位)缺位,因而导致晶胞收缩,抑制畴壁运动,降低离子扩散速度,矫顽电场增加,从而使极化变得很困难,压电性能降低,Qm和Qe变大,介电损耗减少.具有这类掺杂物的PZT压电陶瓷称为“硬性”PZT压电陶瓷,的传感器元件.这类掺杂报道较多的是La3+和Nb5+[
超声探头的核心是其塑料外套或者金属外套中的一块压电晶片。构成晶片的材料可以有许多种。晶片的大小，如直径和厚度也各不相同，因此每个探头的性能是不同的，我们使用前必须预先了解它的性能。超声波传感器的主要性能指标包括：工作频率工作频率就是压电晶片的共振频率。5：细粉末和棉纱之类的材料在吸收声音时无法被检出（反射型传感器）。当加到它两端的交流电压的频率和晶片的共振频率相等时，输出的能量大，灵敏度也高。工作温度由于压电材料的居里点一般比较高，特别是诊断用超声波探头使用功率较小，所以工作温度比较低，可以长时间地工作而不失效。用的超声探头的温度比较高，需要单独的制冷设备。灵敏度主要取决于制造晶片本身。机电耦合系数大，灵敏度高；反之，灵敏度低。指向性超声波传感器探测的范围
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