MBR1045CT广泛应用于变频器、开关电源、LED电源和逆变器等电路使用。强元芯电子作为MHCHXM公司大陆总代理.公司拥有一支高素质、高学历的人才团队，其中电子、机械、工程管理各类工程师及管理人才27人
采用铜基材镀锡引脚，导电性能更佳。
引脚宽0.65MM，厚0.6MM，持续工作，不会发热
高强度、可耐数次弯折，不影响正常
肖特基二极管型号
MBR1045CT广泛应用于变频器、开关电源、LED电源和逆变器等电路使用。强元芯电子作为MHCHXM公司大陆总代理.公司拥有一支高素质、高学历的人才团队，其中电子、机械、工程管理各类工程师及管理人才27人
采用铜基材镀锡引脚，导电性能更佳。
引脚宽0.65MM，厚0.6MM，持续工作，不会发热
高强度、可耐数次弯折，不影响正常使用
定位孔：安装定位孔设计，对于散热性要求更高的电路，方便安装外置散热装置。
产品原厂新年份的货源，经过严格的电性测试与出厂检验。所用的框架、环氧塑封胶以及无铅焊片、后端引线电镀都是采用环保进口材料，保证出厂合格率
编辑：DD
ASEMI工程师讲解雪崩问题解决方案
在IAS下不会烧毁的维持时间:td=EAS/(VRRM×IAS)=1000mJ/(200V×100A)=5μs。也就是说，SBD在出现雪崩之后IAS=100A时，可保证在5μs之内不会损坏器件。EAS是检验肖特基势垒可靠性的重要参量200V/100A的SBD在48V输出的通信SMPS中可替代等额定值的FRED，使整流部分的损耗降低10%~15%。由于SBD的超快软恢复特性及其雪崩能量，提高了系统工作频率和可靠性，EMI也得到显著的改善。
ASEMI整流肖特基二极管快资讯！
SiC高压SBD
由于Si和GaAs的势垒高度和临界电场比宽带半导体材料低，用其制作的SBD击穿电压较低，反向漏电流较大。碳化硅(SiC)材料的禁带宽度大(2.2eV~3.2eV)，临界击穿电场高(2V/cm~4×106V/cm)，饱合速度快(2×107cm/s)，热导率高为4.9W/(cm·K)，抗化学腐蚀性强，硬度大，材料制备和制作工艺也比较成熟，是制作高耐压、低正向压降和高开关速度SBD的比较理想的新型材料。
MBR、SR、SL、SB、STB、STP都是常见的半导体公司对肖特基产品的型号命名。各厂家命名有不同。
备注：美国摩托罗拉半导体公司，是世界半导体生产商。早期的半导体元件很多都是以该公司的产品命名而得到公认、通用。摩托罗拉公司后来将半导体器件分离出来，分为：
成品电器（比如手机、通信终端设备、小家电等）；
电子元件部分是今天的ON（安森美半导体），生产功率器件；
Freescale（飞思卡尔半导体）生产IC集成电路；
如：SS12、SS14、SS16、SS18…也就是常说贴片封装。
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