MBR1060肖特基二极管，MHCHXM，采用TO－220封装塑封，电性参数：10A45V；俄罗斯进口晶圆大芯片制作，其高抗冲击性能尤为显著，黑胶部分采用复合材料环氧塑脂材料一次性浇铸成型，具有良好的包封性；而引脚为99.99％无氧铜材质组成，抗氧化、抗弯曲和高导电性。
“诚信”是强元芯屹立于行业之本，未来，我们仍将恪守“诚信，，务实”的服务理念，
低压降肖特基二极管
MBR1060肖特基二极管，MHCHXM，采用TO－220封装塑封，电性参数：10A45V；俄罗斯进口晶圆大芯片制作，其高抗冲击性能尤为显著，黑胶部分采用复合材料环氧塑脂材料一次性浇铸成型，具有良好的包封性；而引脚为99.99％无氧铜材质组成，抗氧化、抗弯曲和高导电性。
“诚信”是强元芯屹立于行业之本，未来，我们仍将恪守“诚信，，务实”的服务理念，不断完善 ，努力为客户和公司同仁共创双嬴肖特基二极管MBR1045CT管装：50/管；盒装：1000PCS/盒。
UL为美国安规认证，是世界上安全试验和鉴定权威机构整流桥
代表安全检检产品运作良率是世界上安全试验和鉴定权威机构
激光打标，解决油墨丝印易掉色问题，黑胶材质是采用进口环氧塑脂材料
我司承诺，在收到产品30天内，只要在不上机，不损坏外包装的情况下，可凭销售清单申请退、换货。
公司拥有一支高素质的人才团队，其中电子、机械、工程管理各类工程师及管理人才37人，他们将自己研发的20多项专利应用于整流桥和肖特基二极管。
编辑：DD
ASEMI解析肖特基势垒二极管工作原理：
随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。
了解了肖特基二极管的基本原理，那你知道肖特基势垒二极管的内部结构是怎样的吗？接下来就由ASEMI技术工程师为您解析这一问题。
典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用shen作掺杂剂的N-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅(SiO2)来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高倍。
ASEMI新型高压SBD的结构和材料与传统SBD是有区别的。传统SBD是通过金属与半导体接触而构成。金属材料可选用铝、金、钼、镍和钛等，半导体通常为(Si)或(GaAs)。由于电子比空穴迁移率大，为获得良好的频率特性，故选用N型半导体材料作为基片。为了减小SBD的结电容，提高反向击穿电压，同时又不使串联电阻过大，通常是在N+衬底上外延一高阻N-薄层。
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