化学气相沉积的特点
以下内容由沈阳鹏程真空技术有限责任公司为您提供，希望对同行业的朋友有所帮助。
特点
1）在中温或高温下，通过气态的初始化合物之间的气相化学反应而形成固体物质沉积在基体上。
2）可以在常压或者真空条件下(负压“进行沉积、通常真空沉积膜层质量较好）。
）采用等离子和激光辅助技术可以显著地促进化学反应，使沉积可在较低的温度下进行。
化学气相沉积设备报价
化学气相沉积的特点
以下内容由沈阳鹏程真空技术有限责任公司为您提供，希望对同行业的朋友有所帮助。
特点
1）在中温或高温下，通过气态的初始化合物之间的气相化学反应而形成固体物质沉积在基体上。
2）可以在常压或者真空条件下(负压“进行沉积、通常真空沉积膜层质量较好）。
）采用等离子和激光辅助技术可以显著地促进化学反应，使沉积可在较低的温度下进行。
4）涂层的化学成分可以随气相组成的改变而变化，从而获得梯度沉积物或者得到混合镀层。
5）可以控制涂层的密度和涂层纯度。
6）绕镀件好。可在复杂形状的基体上以及颗粒材料上镀膜。适合涂覆各种复杂形状的工件。由于它的绕镀性能好，所以可涂覆带有槽、沟、孔，甚至是盲孔的工件。
7）沉积层通常具有柱状晶体结构，不耐弯曲，但可通过各种技术对化学反应进行的气相扰动，以改善其结构。
8）可以通过各种反应形成多种金属、合金、陶瓷和化合物涂层。
化学气相沉积的分类
化学气相沉积的方法很多，如常压化学气相沉积(Atmospheric pressure CVD，APCVD)、低压化学气相沉积(Low pressure CVD，LPCVD)、超高真空化学气相沉积(Ultrahigh vacuum CVD，UHVCVD)、激光化学气相沉积(Laser CVD，LCVD)、金属有机物化学气相沉积(Metal-organic CVD，MOCVD)，等离子体增强化学气相沉积（Plasma enhanced CVD，PECVD）等。0x10-3Pa，35分钟可达到（采用分子泵抽气，分子泵不配，预留分子泵接口)。
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化学气相沉积产品概述
沈阳鹏程真空技术有限责任公司——生产、销售化学气相沉积，我们公司坚持用户为上帝，想用户之所想，急用户之所急，以诚为本，讲求信誉，以产品求发展，以质量求生存，我们热诚地欢迎各位同仁合作共创。
1、适用范围：适合于各单位实验室、高等院校实验室、教学等的项目科研、产品中试之用。
2、产品优点及特点：应用于半导体薄膜、硬质涂层等薄膜制备，兼等离子体清洗、等离子体刻蚀。
3、主要用途：主要用来制作SiO2、Si3N4、非晶Si：H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介电、半导体及金属膜。
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