肖特基二极管的应用企业,强元芯电子供应商

编辑：DD ASEMI整流肖特基二极管快资讯！ SiC高压SBD 由于Si和GaAs的势垒高度和临界电场比宽带半导体材料低，用其制作的SBD击穿电压较低，反向漏电流较大。碳化硅(SiC)材料的禁带宽度大(2.2eV~3.2eV)，临界击穿电场高(2V/cm~4×106V/cm)，饱合速度快(2×107cm/s)，热导率高为4.9W/
肖特基二极管的应用


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ASEMI整流肖特基二极管快资讯！


SiC高压SBD

由于Si和GaAs的势垒高度和临界电场比宽带半导体材料低，用其制作的SBD击穿电压较低，反向漏电流较大。碳化硅(SiC)材料的禁带宽度大(2.2eV~3.2eV)，临界击穿电场高(2V/cm~4×106V/cm)，饱合速度快(2×107cm/s)，热导率高为4.9W/(cm·K)，抗化学腐蚀性强，硬度大，材料制备和制作工艺也比较成熟，是制作高耐压、低正向压降和高开关速度SBD的比较理想的新型材料。






为了获得正向压降低和反向漏电流小的SiCSBD，采用Ni接触与Ti接触相结合、高/低势垒双金属沟槽(DMT)结构的SiCSBD设计方案是可行的。采用这种结构的SiCSBD，反向特性与Ni肖特基整流器相当，在300V的反向偏压下的反向漏电流比平面型Ti肖特基整流器小75倍，而正向特性类似于NiSBD。采用带保护环的6H-SiCSBD，击穿电压达550V。







MBR1045CT,其中的"C":表示TO-220封装；MBR6045PT,其中的"P":表示TO-3P封装

　　元件的封装形式也在型号的前缀第四位字母中体现，例如：

　　MBRD10100CT:第四位的D,表示贴片DPAK封装

　　MBRB10100CT:第四位的B,表示贴片D2PAK封装

　　MBRF10100CT:第四位的F,表示TO-220全塑封

　　TO-252,也就是贴片DPAK封装；TO-263,也就是贴片D2PAK封装；任何型号的命名都有它的规律性可循。例如：MBR20100CT,型号中就20100是阿拉伯数字，20100中，20是电流，100是电压。以此类推。




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为什么众多客户都选择ASEMI的MUR2020CT呢？曾经访问过几位老客户说，“我选择相信ASEMI，是因为它的质量稳定，各方面参数都达标，即使长时间工作也不会发热，而且服务特别好，特别贴心特别周到，售后有什么问题他们立马派人过来帮忙处理。”这是客户对强元芯的信任，这份信任高于一切，所以我们有义务为这份信任添加一层保障，努力为客户提供的产品和服务。

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