化学气相沉积的特点
以下内容由沈阳鹏程真空技术有限责任公司为您提供，希望对同行业的朋友有所帮助。
特点
1）在中温或高温下，通过气态的初始化合物之间的气相化学反应而形成固体物质沉积在基体上。
2）可以在常压或者真空条件下(负压“进行沉积、通常真空沉积膜层质量较好）。
）采用等离子和激光辅助技术可以显著地促进化学反应，使沉积可在较低的温度下进行。
化学气相沉积设备价格
化学气相沉积的特点
以下内容由沈阳鹏程真空技术有限责任公司为您提供，希望对同行业的朋友有所帮助。
特点
1）在中温或高温下，通过气态的初始化合物之间的气相化学反应而形成固体物质沉积在基体上。
2）可以在常压或者真空条件下(负压“进行沉积、通常真空沉积膜层质量较好）。
）采用等离子和激光辅助技术可以显著地促进化学反应，使沉积可在较低的温度下进行。
4）涂层的化学成分可以随气相组成的改变而变化，从而获得梯度沉积物或者得到混合镀层。
5）可以控制涂层的密度和涂层纯度。
6）绕镀件好。可在复杂形状的基体上以及颗粒材料上镀膜。适合涂覆各种复杂形状的工件。由于它的绕镀性能好，所以可涂覆带有槽、沟、孔，甚至是盲孔的工件。
7）沉积层通常具有柱状晶体结构，不耐弯曲，但可通过各种技术对化学反应进行的气相扰动，以改善其结构。
8）可以通过各种反应形成多种金属、合金、陶瓷和化合物涂层。
化学气相沉积法之所以得到发展，是和它本身的特点分不开的，其特点如下。
I) 沉积物种类多: 可以沉积金属薄膜、非金属薄膜，也可以按要求制备多组分合金的薄膜，以及陶瓷或化合物层。
2) CVD反应在常压或低真空进行，镀膜的绕射性好，对于形状复杂的表面或工件的深孔、细孔都能均匀镀覆。
3) 能得到纯度高、致密性好、残余应力小、结晶良好的薄膜镀层。由于反应气体、反应产物和基体的相互扩散，可以得到附着力好的膜层，这对表面钝化、抗蚀及等表面增强膜是很重要的。
4) 由于薄膜生长的温度比膜材料的熔点低得多，由此可以得到纯度高、结晶完全的膜层，这是有些半导体膜层所必须的。
5) 利用调节沉积的参数，可以有效地控制覆层的化学成分、形貌、晶体结构和晶粒度等。
6) 设备简单、操作维修方便。
7) 反应温度太高，一般要850~ 1100℃下进行，许多基体材料都耐受不住CVD的高温。采用等离子或激光辅助技术可以降低沉积温度。
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化学气相沉积的分类
化学气相沉积的方法很多，如常压化学气相沉积(Atmospheric pressure CVD，APCVD)、低压化学气相沉积(Low pressure CVD，LPCVD)、超高真空化学气相沉积(Ultrahigh vacuum CVD，UHVCVD)、激光化学气相沉积(Laser CVD，LCVD)、金属有机物化学气相沉积(Metal-organic CVD，MOCVD)，等离子体增强化学气相沉积（Plasma enhanced CVD，PECVD）等。如果经过检验，任何一个边沿没有刻蚀合格，则这一批硅片需要重新装片，进行刻蚀。
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