NR9-3000PY
四、对准（Alignment）
光刻对准技术是曝光个重要步骤作为光刻的三大核心技术之一，一般要求对准精度为细线宽尺寸的 1/7---1/10。随着光刻分辨力的提高 ，对准精度要求也越来越高 ，例如针对 45am线宽尺寸 ，对准精度要求在5am 左右。
受光刻分辨力提高的推动 ，对准技术也经历 迅速而多样的发展 。从对准原理上及标记结 构分类
NR74g 3000PY光刻胶公司
NR9-3000PY
四、对准（Alignment）
光刻对准技术是曝光个重要步骤作为光刻的三大核心技术之一，一般要求对准精度为细线宽尺寸的 1/7---1/10。随着光刻分辨力的提高 ，对准精度要求也越来越高 ，例如针对 45am线宽尺寸 ，对准精度要求在5am 左右。
受光刻分辨力提高的推动 ，对准技术也经历 迅速而多样的发展 。从对准原理上及标记结 构分类 ，对准技术从早期的投影光刻中的几何成像对准方式 ，包括视频图像对准、双目显微镜对准等，一直到后来的波带片对准方式 、干涉强度对准 、激光外差干涉以及莫尔条纹对准方式 。一般情况下，一个芯片在制造过程中需要进行10~50道光刻过程，由于基板不同、分辨率要求不同、蚀刻方式不同等，不同的光刻过程对光刻胶的具体要求也不一样，即使类似的光刻过程，不同的厂商也会有不同的要求。从对准信号上分 ，主要包括标记的显微图像对准 、基于光强信息的对准和基于相位信息对准。
NR9-3000PYNR74g 3000PY光刻胶公司
五、曝光
在这一步中，将使用特定波长的光对覆盖衬底的光刻胶进行选择性地照射。光刻胶中的感光剂会发生光化学反应，从而使正光刻胶被照射区域（感光区域）、负光刻胶未被照射的区域（非感光区）化学成分发生变化。显示器，OLEDs，波导(waveguides)，VCSELS，成像，电镀，纳米碳管，微流体，芯片倒装等方面。这些化学成分发生变化的区域，在下一步的能够溶解于特定的显影液中。
在接受光照后，正性光刻胶中的感光剂DQ会发生光化学反应，变为乙烯酮，并进一步水解为茚并羧酸（Indene-Carboxylic-Acid, CA），羧酸在碱性溶剂中的溶解度比未感光部分的光刻胶高出约100倍，产生的羧酸同时还会促进酚醛树脂的溶解。光刻胶的重要性在北京化工大学理学院院长聂俊眼里，我国虽然已成为世界半导体生产大国，但面板产业整体产业链仍较为落后。利用感光与未感光光刻胶对碱性溶剂的不同溶解度，就可以进行掩膜图形的转移。
曝光方法：
a、接触式曝光（Contact Printing）掩膜板直接与光刻胶层接触。
b、接近式曝光（Proximity Printing）掩膜板与光刻胶层的略微分开，大约为10～50μm。
c、投影式曝光（Projection Printing）。在掩膜板与光刻胶之间使用透镜聚集光实现曝光。
d、步进式曝光(Stepper)
NR9-250P
20．有没有光刻胶PC3-6000的资料吗？
A PC3-6000并不是光刻胶，它是用在chip
on glass 上的胶粘剂。
21．是否有Wax替代品？
A PC3-6000可替代Wax做晶片和玻璃的固定，比较容易去除掉。
22．贵公司是否有粘接硅衬底和衬底的材料？
A 有，IC1-200就是
23．请问是否有不用HMDS步骤的正性光刻胶？
A 美国Futurrex 整个系列的光刻胶都不需要HMDS步骤，都可以简化。
24．一般电话咨询光刻胶，我们应该向客户咨询哪些资料？
A 1 需要知道要涂在什么材质上，2
还有要知道需要做的膜厚，3
还要知道光刻胶的分辨率
4还有需要正胶还是负胶，5
需要国产还是进口的
27．想找一款膜厚在120um，的光刻胶，有什么光刻胶可以做到啊！
A 以前有使用过美国有款光刻胶可以达到Futurrex
NR21-20000P ，。
28．有没有了解一款美国Futurrex
NR9-250P的光刻胶，请教下？
A 这是一款负性光刻胶，湿法蚀刻使用的，附着力很好，耐100度的温度，国内也有可以代理的公司，Futurre
光刻胶是世界第4大的电子化学品制造商，在光刻胶的领域有着不错的声誉，在太阳能光伏，和LED半导体行业都有不错的市场占有率。
29．想找款膜厚的产品，进行蚀刻，有什么好推荐？
A 厚膜应用（thick
film applicati），主要是指高纵横比（Aspect
ratios）,高分辨率，高反差，有几款产品向你推荐一下《NR4-8000P，NR2-20000P，NR5-8000，这些产品都需要用到边胶清洗液》
的光刻
光刻胶
按感光树脂的化学结构，光刻胶可分为光聚合型光刻胶、光分解型光刻胶和光交联型光刻胶。在应用中，采用不同单体可以形成正、负图案，并可在光刻过程中改变材料溶解性、抗蚀性等。
光聚合型光刻胶
烯类，在光作用下生成自由基，自由基再进一步引发单体聚合。
光分解型光刻胶
叠氮醌类化合物，经光照后,会发生光分解反应，由油溶性变为水溶性。
光交联型光刻胶
聚乙烯醇月桂酸酯，在光的作用下,分子中的双键打开，链与链之间发生交联，形成一种不溶性的网状结构从而起到抗蚀作用。
按曝光波长，光刻胶可分为紫外（300~450 nm）光刻胶、深紫外（160~280 nm）光刻胶、极紫外（EUV，13.5 nm）光刻胶、电子束光刻胶、离子束光刻胶、X 射线光刻胶等。
按应用领域，光刻胶可分为PCB 光刻胶、LCD 光刻胶、半导体光刻胶等。PCB 光刻胶技术壁垒相对其他两类较低，而半导体光刻胶代表着光刻胶技术的水平。
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