3、技术指标
* 3.1 机台可测试器件类型 二极管、MOSFET、IGBT单管及模组
* 3.2 机台可测IGBT项目
及测试范围 VGE(th)栅极阈值电压
VCES集射极截止电压
ICES集射极截止电流
VCE(sat)饱和导通压降
Iges栅极漏电流
VF二极管导通电压
可以测5000V,1600A以下的IGBT模块
* 3.3 机台可测MOS项目 Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、B
地铁IGBT测试仪现货供应
3、技术指标
* 3.1 机台可测试器件类型 二极管、MOSFET、IGBT单管及模组
* 3.2 机台可测IGBT项目
及测试范围 VGE(th)栅极阈值电压
VCES集射极截止电压
ICES集射极截止电流
VCE(sat)饱和导通压降
Iges栅极漏电流
VF二极管导通电压
可以测5000V,1600A以下的IGBT模块
* 3.3 机台可测MOS项目 Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、Rds(on)、Gfs
3.4
测试项目 测量范围 测试条件与精度
*
3.5 VGE(th)
栅极阈值电压 0.1～10V VGE：0.1～10V±1%±0.01V；
解析度：0.01V
集电极电流Ic：
10～50mA±1%±0.5mA；
50～200mA±1%±1mA；
200～1000mA±1%±2mA；半导体元件除了本身功能要良好之外，其各项参数能否达到电路上的要求，必须定期测量，否则产品的质量特性很难保证，尤其是较大的功率元件，因具有耗损性，易老化及效率降低，因不平衡导致烧毁，甚至在使用中会发生。
欲测知元件老化，所须提供的测量范围为何？2）集射极截止电压/集射极截止电流测试电路
集射极截止电压/发射极截止电流测试电路
。
当大功率元件在作导通参数的测试时，电流必须大到其所能承受的正常工作值，同时，在作关闭参数的漏电流测试时，电压也必须够高，以元件在真正工作状态下的电流与电压，如此其老化的程度才可显现。当这两个参数通过后，便表示元件基本上良好，再进一步作其他参数的测量，以分辨其中的优劣。建议进行高温测试，模拟器件使用工况，更为准确的判断器件老化程度。
关断时间测试参数：
1、关断时间toff：5～2000ns±3%±3ns
2、关断延迟时间td(off)：5～2000ns±3%±3ns
3、下降时间tf：5～2000ns±3%±3ns
4、关断能量：0.2～1mJ±5%±0.01mJ
1～50mJ±5%±0.1mJ
50～100mJ±5%±1mJ
100～500mJ±5%±2mJ
5、关断耗散功率Pon：10W～250kW
关断时间测试条件：
1、集电极电压Vce：50～100V±3%±1V
100～500V±3%±5V
500V～1000V±3%±10V
2、集电极电流Ic：50～100A±3%±1A;
100～500A±3%±2A;
500～1000A±3%±5A;
3）IGBT饱和压降/FRD正向导通压降测试电路
通态压降测试电路
高压充电电源：10~1500V连续可调
支撑电容：额定电压2kV
饱和通态压降电压探头精度要求：0.1～10V±3%±0.01V
栅极电压输出要求：5～25V±1%±0.01V
集电极电流测试设备精度： 200～500A±3%±1A；500～1000A±2%±2A
测试脉冲宽度：0.1~1ms可设定
4）栅极漏电流测试电路
栅极漏电流测试电路
可调电源：±1Ｖ～±40V±2%±0.1V；
小电流测量设备精度：0.01～10μA±2%±0.005μA
栅极电压Vge：±1Ｖ～40V±1%±0.1V；
当这两个参数通过后，便表示元件基本上良好，再进一步作其他参数的测量，以分辨其中的优劣。脉冲时间：40~100ms可设定
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