水银厂家来电咨询【振鑫焱光伏科技】

振鑫焱光伏科技有限责任公司长期购置：天价回收硅片，电池片，初中级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳电池，太阳能组件，太阳能光伏板，顾客撤离，退级，库存量，El，欠佳检测，2手，旧，工程项目，拆装，道路路灯，拆卸发电厂，拆装，人造板，层压板，无界限结晶硅，多晶硅，单晶硅，试验板，负债还款，返修，太阳能发电控制模块收购等。

九、崩边、豁口、掉角

充电电池边沿崩边喝豁口

A级：其长短≤3mm，深度1≤0.5mm，总数≤2处

B级：其长短≤5mm，深度1≤1.0mm，总数≤3处

四边豁口

A级：规格≤1.5*1.5mm，总数≤1处

B级：规格≤2.0*2.0mm，总数≤1处

注：多晶硅A级和B级均不容许有三边形豁口和锐利行豁口，左右豁口都不能过电级(主栅线，副栅线)

超出B级范畴

多晶硅电池片超出了B级范畴，就立即做为缺点片。

多晶电池片超出了B级范畴，如合乎C级需切角片的规定，能作C级需切角片多

经容许边缘有豁口（包含三边形豁口和锐利行豁口），对边缘豁口听规定给出

125任意边缘破损≤18*18mm

150任意边缘破损≤8*8mm

156任意边缘破损≤14*14mm注：多晶电池片超过了C级片的规定，做为缺点片。粉碎，无运用使用价值的做为报费片新的规范与旧的同样。

电池片的制作工艺

振鑫焱光伏科技有限公司常年采购：回收硅片，电池片，初级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳能电池，光伏组件，太阳能电池板，客户撤退，降级，库存，El，不良测试，二手，旧，工程，拆卸，路灯，拆解电站，拆卸，胶合板，层压板，无边界晶体硅，多晶硅，单晶硅，实验板，债务偿还，返工，光伏模块回收等。

扩散工艺

扩散目的

在来料硅片 P 型硅片的基础上扩散一层 N 型磷源，形成 PN 结。

扩散原理

POCl 3 在高温下 （ > 600 ℃ ） 分解生成五氯化磷 （ PCl 5 ） 和五氧化二磷 （ P 2 O 5 ）， 其反应式如下 ：

5POCl 3=3PCl 5 +P 2 O 5

生成的 P 2 O 5 在扩散温度下与硅反应 ， 生成二氧化硅 （ SiO 2 ） 和磷原子 ， 其反应式如下 ：

2P 2 O 5+ 5Si = 5SiO 2 + 4PPOCl 3

热分解时，如果没有外来的氧（ O 2 ）参与其分解是不充分的，生成的 PCl5 是不易分解的，并且对硅有腐蚀作用，破坏硅片的表面状态。但在有外来 O2 存在的情况下， PCl 5 会进一步分解成 P2O 5 并放出氯气（ Cl 2 ）其反应式如下：

4PCl 5 +5O 2=2P 2 O 5 +10Cl 2

生成的 P 2 O 5 又进一步与硅作用，生成 SiO 2 和磷原子，由此可见，在磷扩散时，为了促使 POCl3 充分的分解和避免 PCl 5 对硅片表面的腐蚀作用，必须在通氮气的同时通入一定流量的氧气。就这样 POCl 3 分解产生的 P 2 O 5 淀积在硅片表面， P 2O 5 与硅反应生成 SiO 2 和磷原子，并在硅片表面形成一层磷 - 硅玻璃，然后磷原子再向硅中进行扩散。