什么是大功率半导体元件？其用途为何？ 凡是半导体元件如金属氧化场效晶体管(MOSFET)、IGBT(INSULATED GATE B.TRANSISTOR)及TRIAC（可控硅）、SCR（晶闸管）、 GTO等各型闸流体与二极管(DI ODE)等，其工作电流与电压乘积若大于1KW以上，均可属于大功率的范围。如下图片所示。此类元件多用于车船，工厂的动力，光电及其他能源的转换上。中大功率的元件仅在
便携式IGBT测试仪加工
什么是大功率半导体元件？其用途为何？
凡是半导体元件如金属氧化场效晶体管(MOSFET)、IGBT(INSULATED GATE B.TRANSISTOR)及TRIAC（可控硅）、SCR（晶闸管）、 GTO等各型闸流体与二极管(DI ODE)等，其工作电流与电压乘积若大于1KW以上，均可属于大功率的范围。如下图片所示。此类元件多用于车船，工厂的动力，光电及其他能源的转换上。中大功率的元件仅在功能上的完好是不够的，因其必须承受规格上的电压与电流，在某条件下，承受度的数据便称为此元件的参数。
2.2反向恢复技术条件
测试参数：
1、Irr(反向恢复电流)：50～1000A
50～200A±3%±1A
200～1000A±3%±2A
2、Qrr (反向恢复电荷)：1～1000uC
1～50uC±5%±0.1 uC
50～200uC±5%±1 uC
200～1000uC±5%±2 uC
3、trr(反向恢复时间)：20～2000ns
20～100±5%±1ns
100～500±5%±2ns
500～2000±3%±5ns
4、Erec(反向关断能量损失)：0.5～1000mJ
0.5～1mJ±5%±0.01mJ
1～50mJ±5%±0.1mJ
50～200mJ±5%±1mJ
200～1000mJ±5%±2mJ
测试条件：
1、正向电流IFM：50～1000A
50～200A±3%±1A
200～1000A±3%±2A
2、-di/dt测量范围：200～10000A/us
3、反向关断峰值电压VRRpk：200～1000V±3%±2V
4、dv/dt测量范围：100～10000V/us
IGBT静态参数测试部分主要材料技术要求
1）阈值电压测试电路
阈值电压测试电路（仅示出IEC标准测试电路）
满足表格9测试参数要求
低压开关电源要求：Vcc=12V (针对上图电路)
可调电源：0.1～10V±1%±0.01V；分辨率0.01V
集电极电流测试电路精度：10～50mA±1%±0.5mA；
50～200mA±1%±1mA；200～1000mA±1%±2mA；1000～2000mA±1%±5mA；
2）集射极截止电压/集射极截止电流测试电路
集射极截止电压/发射极截止电流测试电路
集成VGA显示接口、4个PCI接口、6个串口、6个ΜSB接口等。高压充电电源：10~2kV连续可调
支撑电容：额定电压2kV
集电极电流ICES：0.01～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～30mA±1%±0.1mA；30～300mA±1%±0.1mA
集电极电压VCES：200～1500V±2%±1V
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