熔化工部
熔化工部主要包含塔式熔化炉、保温炉，除气机等配套设施。目前铝金合熔化炉主要采用熔化电炉和“塔式熔化炉+电加热保温炉”两种熔化方式，熔化电炉使用成本较高。目前国内铝金合燃气塔式炉主要采用外资，如东大三建、正英集团、史杰克西等。我公司采用“塔式熔化炉+电加热保温炉”的形式，塔式熔化炉集中布置，与压铸区局部隔离布置。燃气塔式炉集中熔化，电加热保温炉布置
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熔化工部
熔化工部主要包含塔式熔化炉、保温炉，除气机等配套设施。目前铝金合熔化炉主要采用熔化电炉和“塔式熔化炉+电加热保温炉”两种熔化方式，熔化电炉使用成本较高。目前国内铝金合燃气塔式炉主要采用外资，如东大三建、正英集团、史杰克西等。我公司采用“塔式熔化炉+电加热保温炉”的形式，塔式熔化炉集中布置，与压铸区局部隔离布置。燃气塔式炉集中熔化，电加热保温炉布置于压铸机旁实现自动化生产。炉前配备除气装置，除气设备选用某国产某，确保金属液质量的稳定可靠。考虑炉前操作人员的安全环保和职业健康，塔式熔化炉配备抽风除尘系统和燃气泄漏报警装置。熔化工部工艺流程为：配料→ 加料→熔炼→ 出铝→除气检测→转运→保温。
此方法适用于除去氧化膜或有机物。因为化学物质在硅片表面停留的时间比较短，对反应需要一定时间的清洗效果不好。在喷洗过程中所使用的化学试剂很少，对控制成本及环境保护有利。
随着集成电路制程工艺节点越来越，对实际制造的几个环节也提出了新要求，清洗环节的重要性日益凸显。
清洗的关键性则是由于随着特征尺寸的不断缩小，半导体对杂质含量越来越敏感，而半导体制造中不可避免会引入一些颗粒、有机物、金属和氧化物等污染物。为了减少杂质对芯片良率的影响，实际生产中不仅仅需要提高单次的清洗效率，还需要在几乎所有制程前后都频繁的进行清洗，清洗步骤约占整体步骤的33%。
实际证实等同功率状况下，低频时易于激起空化。即频率越低，空化作用成果越好，但噪音越大。反之，频率越高，空化作用成果越差，全自动清洗机也认为它的噪音越小。清洗液温度：清洗的温度是影响清洗速度主要因素，恰当的进步清洗液的温度，可加强空化才能，延长清洗光阴，但超越肯定的温度，因为蒸汽压力相应增添反而使空化作用降落。
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