低本底测量仪
传感器：
1. 采用反符合电子学系统去除自然射线本底干扰。反符合传感器晶体为美国Eljen Technology公司的EJ200型塑料闪烁体。
2. 传感器采用对联三苯和硫化锌（银）为发光材料，采用多次热压成型技术制造，产品稳定可靠，耐潮湿，可擦拭。
控制器：
1. 采用低静态电流高压直流线性稳压器技术实现单高压发生
一路低本底计数器公司
低本底测量仪
传感器：
1. 采用反符合电子学系统去除自然射线本底干扰。反符合传感器晶体为美国Eljen Technology公司的EJ200型塑料闪烁体。
2. 传感器采用对联三苯和硫化锌（银）为发光材料，采用多次热压成型技术制造，产品稳定可靠，耐潮湿，可擦拭。
控制器：
1. 采用低静态电流高压直流线性稳压器技术实现单高压发生器多路可调输出。提高高压稳定性，降低纹波，实现小于12瓦特的业界低的整机功耗。
2. 将CPLD(可编程逻辑器件)技术引入到低本底α/β测量仪产品中。CPLD器件高速高（典型器件输出延迟小于10纳秒）高可靠，低功耗。用CPLD器件替代传统的分立实现设计的数字系统，大提高了产品集成度和可靠性。
3.采用通用性好的USB2.0标准免驱动连接方式，可适用于任何形式的计算机。
4.高压及阈值均采用数控模式通过计算机软件数字化调节。相较于一般的电位器调节高压模式，数字调节方式操作存储方便，数字化，可恢复，可重现性优良。参数数据由主机FLASH MEMORY记忆存储，可完全防止由于计算机故障导致的数据丢失问题。
5.控制器采用2.4英寸、320*240分辨率、24位色深、TFT真彩色液晶显交互模式。相较于数码管等传统显示模式，液晶显示能提供更多更详细的输出信息，可编程，显示清晰，功耗更低，稳定可靠。
6.标准2U高度19英寸机箱。
7.所有产品均可向上升级至高8通道模式。
低本底技术指标
（1）探测器：φ75mm×75mm的NAL晶体
（2）总道数：512、1024、2048、4096道任选，实际应用道数：2048道
（3）能量分辨率：＜7.5%（137Cs）
（4）微分非线性：＜0.05%
（5）积分非线性：＜0.1%
（6）直流电源纹波:≤1mVrms
（7）高压电源纹波:≤20mV
（8）系统稳定性:≤1%
（9）数据通过率:>333kcps
（10）脉冲对分辨率：500ns
（11）分析误差:符合GB6566-2010《建筑材料核素》及《矿产地质分析测试实验室规范》（EJ/T751-93）的要求
（12）分析范围238U:（37～1×106）Bg226Ra:（37～1×106）Bg232Th:（12～4×105）Bg40K：0.1%～
（13）测量不确定度（样品活度＞37Bq）<10%
（14）使用条件温度：+5℃～+35℃湿度：≤90%电源：220V±10%50Hz
（15）铅屏蔽室尺寸及重量：680mm×105mm×235mm900kg37～1×106）Bg232Th:（12～4×105）Bg40K：0.1%～
浅析低本底
技术参数：
一、仪器本底、勘探功率
关于90Sr-90Y β源（活性面直径Φ20mm）2π功率比≥50%时，本底≤0.15cm-2min-1;
关于239Pu α源（活性面直径Φ30mm）2π功率比≥80%时，本底≤0.005cm-2min-1;
二、串道比
α进人β道的记数比<1%(对239Pu)
β进人α道的计数比<0.3% (关于90Sr-90Y );
三、功率安稳性:
仪器连续测量24小时,勘探功率改动α<2%、β<3%;
四、勘探规划:
α≥5×10-4Bq β≥1×10-6 Bq
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