气态的原子、分子在真空中经过很少的碰撞迁移到基体。(3)镀料原子、分子沉积在基体表面形成薄膜。(二)蒸发源将镀料加热到蒸发温度并使之气化，这种加热装置称为蒸发源。zui常用的蒸发源是电阻蒸发源和电子束蒸发源，特殊用途的蒸发源有高频感应加热、电弧加热、辐射加热、激光加热蒸发源等。(三)真空蒸镀工艺实例以塑料金属化为例,真空蒸镀工艺包括：镀前处理、镀膜及后处理。真空蒸镀的基本工艺过程如
镀钛加工公司
气态的原子、分子在真空中经过很少的碰撞迁移到基体。(3)镀料原子、分子沉积在基体表面形成薄膜。(二)蒸发源将镀料加热到蒸发温度并使之气化，这种加热装置称为蒸发源。zui常用的蒸发源是电阻蒸发源和电子束蒸发源，特殊用途的蒸发源有高频感应加热、电弧加热、辐射加热、激光加热蒸发源等。(三)真空蒸镀工艺实例以塑料金属化为例,真空蒸镀工艺包括：镀前处理、镀膜及后处理。真空蒸镀的基本工艺过程如下：(1)镀前处理，包括清洗镀件和预处理。具体清洗方法有清洗剂清洗、化学溶剂清洗、超声波清洗和离子轰击清洗等。 次数用完API KEY 超过次数限制
在信息存储领域中薄膜材料作为信息记录于存储介质，有其得天独厚的优势：由于薄膜很薄，可以忽略涡流损耗；磁化反转极为迅速；与膜面平行的双稳态状态容易保持等。为了更精密地记录与存储信息，必然要采用镀膜技术。13.在传感器方面在传感器中，多采用那些电气性质相对于物理量、化学量及其变化来说，极为敏感的半导体材料。此外，其中，大多数利用的是半导体的表面、界面的性质，需要尽量增大其面积，且能工业化、低价格制作，因此，采用薄膜的情况很多。14.在集成电路制造中晶体管路中的保护层（SiO2、Si3N4）、电极管线（多晶硅、铝、铜及其合金）等，多是采用CVD技术、PVCD技术、真空蒸发金属技术、磁控溅射技术和射频溅射技术。可见，气相沉积是制备集成电路的核心技术之一。 次数用完API KEY 超过次数限制
薄膜的成膜过程，是一个物质形态的转变过程，不可避免地在成膜后的膜层中会有应力存在，对于多层膜来说有不同膜料的组合，各膜层体现出的应力是有所不同的，有的是张应力、有的是压应力，还有膜层及基片的热应力。
应力的存在对膜强度是有害的，轻者是膜层耐不住摩擦，重者，造成膜层的龟裂或网状细道子。
对于减反膜，由于层数不多，应力一般体现不明显，（但有些硝材的镜片即便是减反膜也有应力问题存在。）而层数较多的高反膜、滤光膜，应力是一个常见的不良因素，应特别注意。 次数用完API KEY 超过次数限制
真空镀膜是一种由物理方法产生薄膜材料的技术，在真空室内材料的原子从加热源离析出来打到被镀物体的表面上。此项技术zui先用于生产光学镜片，如航海望远镜镜片等；后延伸到其他功能薄膜，唱片镀铝、装饰镀膜和材料表面改性等，如手表外壳镀仿金色，塑胶的金属感，机械刀具镀膜，改变加工红硬性。真空镀膜有三种形式，即蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀。在真空状态下，加热蒸发容器中的靶材，使其原子或分子逸出，沉积在目标物体表面，形成固态薄膜。依蒸镀材料、基板的种类可分为:抵抗加热、电子束、高周波诱导、雷射等加热方式。 次数用完API KEY 超过次数限制
（作者： 来源：）
