四氟化碳的用途与作用 :
四氟化碳是可作为氟和自由基氟化碳的来源，用于各种晶片蚀刻工艺。四氟化碳和氧结合用以蚀刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。四氟化碳在通常环境下是相对惰性的，在不通风的地方会引起窒息。在射频等离子体环境中，氟自由基表现为典型的三氟化碳或二氟化碳的形式。高纯度的四氟化碳能很好的控制加工过程，使尺寸和形状得到更好的控制，这不同于其他的卤烃遇到空气或氧气时不利于
工业四氟化碳厂家
四氟化碳的用途与作用 :
四氟化碳是可作为氟和自由基氟化碳的来源，用于各种晶片蚀刻工艺。四氟化碳和氧结合用以蚀刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。四氟化碳在通常环境下是相对惰性的，在不通风的地方会引起窒息。在射频等离子体环境中，氟自由基表现为典型的三氟化碳或二氟化碳的形式。高纯度的四氟化碳能很好的控制加工过程，使尺寸和形状得到更好的控制，这不同于其他的卤烃遇到空气或氧气时不利于各种特殊的控制（如半导体各项异性控制）。
预先称取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的单质硅粉，置于镍盘中，使硅和碳化硅充分接触后，将镍盘放入蒙乃尔合金反应管中，向反应管内通入氟气，氟气先和单质硅反应。含镁大于2%的合金不能用。在高温，一些金属起加速CF4分解的催化作用。按其催化作用增长的次序由小到大地排列则如下：因科镍合金、奥氏体不锈钢、镍、钢、铝、铜、青铜、黄铜、银。反应放热后，氟开始和碳化硅进行反应，通入等体积的干燥氮气以稀释氟气，使反应继续进行，生成气体通过液氮冷却的镍制捕集器冷凝，然后慢慢地气化。
在填有氢氧化铬的高温镍管中进行，反应后的气体经水洗、碱洗除去酸性气体，再通过冷冻，用硅胶除去气体中的水分，后经精馏而得成品。四氟化碳贮存注意事项：气瓶不得靠近火源，不得受日光曝晒，与明火距离一般应该不小于10米，气瓶不得撞击。气瓶的瓶子严禁沾染油脂。以活性炭与氟为原料经氟化反应制备。在装有活性炭的反应炉中，缓缓通入高浓氟气，并通过加热器加热、供氟速率和反应炉冷却控制反应温度。
电子四氟化碳是目前半导体行业主要的等离子体蚀刻气体之一，在硅、二氧化硅、金属硅化物以及某些金属的蚀刻，以及低温制冷、电子器件表面清洗等方面被广泛应用。而电子特气系统为它保驾护航，保证四氟化碳（CF4）的纯度和安全稳定使用。高纯四氟化碳是纯度在99.999%以上的四氟化碳产品，是一种无色无味气体。高纯四氟化碳不可燃烧，在常温常压条件下化学性质稳定，在密闭容器中遇高热有危险，不溶于水，可溶于苯、等部分溶剂。四氟化碳作为制冷剂是一种无色不可燃气体，能够保障液体运输的安全性。在临床医学中，四氟化碳还是一种高浓度的醉剂。由以上看出，四氟化碳的应用范围广泛，在下游电子产业等带动下，行业发展。
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