编辑：TH
整流方桥MT5010电性参数是50A100V，芯片材质采用GPP芯片。MT5010内部含有5个GPP芯片，芯片尺寸达180MIL，正向电流达50A，正向电压1.05V，浪涌电流是500A，漏电流在500uA的范围内，恢复时间快达500ns。
：ASEMI
封装：D-63
特性：单相
充电桩三相整流桥价格
编辑：TH
整流方桥MT5010电性参数是50A100V，芯片材质采用GPP芯片。MT5010内部含有5个GPP芯片，芯片尺寸达180MIL，正向电流达50A，正向电压1.05V，浪涌电流是500A，漏电流在500uA的范围内，恢复时间快达500ns。
：ASEMI
封装：D-63
特性：单相整流方桥
电性参数：50A1000V
芯片个数：5
浪涌电流Ifsm：500A
工作温度：-55~+150℃
恢复时间(Trr)：500ns
引线数量：5
MT5010的电性参数：正向平均电流50A；反向峰值电压1000V
MT5016的包装方式：100/盒，500/箱
整流桥被广泛适用于：电源、充电器、适配器、LED灯饰、大小家电、民用及工业设备等产品中使用
大功率整流桥D50XT160 三相，替代台半， 日本新电元同型号参数。
ASEMI
封装 DXT-5
温度-55~+150℃
芯片材质 GPP硅
正向平均电流 50Amp
峰值反向耐压 1600V
浪涌电流IFSM 500A
三相整流桥由三对反串联的二极管并联组成，使用三相电压，直流输出电压为交流输入电压的2.34倍。
三相整流模块 MDS50HB160 ASEMI原装大功率
：ASEMI
型号：MDS30HB160
正向平均电流：30A
反向峰值耐压：1600V
漏电流：10uA
芯片材质：GPP
芯片个数：4个
引线（端子）：5个
封装：MDS-HB
操作温度：-40℃～+170℃
桥式整流模块，采用进口方形芯片、芯片支撑板，经特殊烧结工艺，保证焊接层无空洞，使用更可靠。采用DCB板及其它导热绝缘材料，导热性能好，导热基板不带电（MDY2000型模块除外），保证使用安全。
（作者： 来源：）
