华科智源IGBT电参数测试仪，可用于多种封装形式的IGBT的测试，还可以测量大功率二极管、IGBT模块、大功率IGBT、大功率双极型晶体管等器件的VI特性测试，广泛应用于轨道交通，电动汽车，风力发电，焊机行业的IGBT来料选型和失效分析。（2）主要技术参数
1）基本参数
功率源： 5000V1200A
2）栅极-发射极漏电流IGES
IGES： 0。测试过程简单，既可以在测试主机里
风力发电用IGBT测试仪价格
华科智源IGBT电参数测试仪，可用于多种封装形式的IGBT的测试，还可以测量大功率二极管、IGBT模块、大功率IGBT、大功率双极型晶体管等器件的VI特性测试，广泛应用于轨道交通，电动汽车，风力发电，焊机行业的IGBT来料选型和失效分析。（2）主要技术参数
1）基本参数
功率源： 5000V1200A
2）栅极-发射极漏电流IGES
IGES： 0。测试过程简单，既可以在测试主机里设置参数直接测试，又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试。
深圳市华科智源科技有限公司，是一家从事功率半导体测试系统自主研发制造与综合测试分析服务的高新技术企业，坐落于改革开放之都-深圳，核心业务为半导体功率器件智能检测准备研制生产，公司产品主要涉及SMT首件检测仪，MOS管直流参数测试仪，MOS管动态参数测试仪，IGBT动态参数测试系统，IGBT静态参数测试仪，在线式检修用IGBT测试仪，变频器检修用IGBT测试仪，IGBT模块测试仪，轨道交通检修用IGBT测试仪，风力发电检修用IGBT测试仪。大功率Igbt模块测试系统简介我公司所设计生产的半导体元件自动测试系统具备下列测试能力：☆可单机独立操作，测试范围达2000V及50A。
5、感性负载
5.1 有效电感 L 100 200 500 1000 μH；
5.2 电流 Ic 1000 1000 1000 500 A；
外部电感成阵列的内部连接。（外部电感的H值传给PC，以计算电流源的极限，限制脉宽到1000us）。
6、标准的双控制极驱动
6.1 门极电阻可人工预先设定如：2.5Ω，5Ω，10Ω等；
6.2 开启（Trun-ON）输出电压 Vge+ ： +15V；
6.3 关断（Trun-ON）输出电压 Vge- ： -15V；
6.4 脉宽： 10 ~ 1000us （单脉冲、双脉冲总时间）；
6.5 电压开关时间： < 50ns；
6.6 输出内阻： < 0.5Ω；
2.2反向恢复技术条件
测试参数：
1、Irr(反向恢复电流)：50～1000A
50～200A±3%±1A
200～1000A±3%±2A
2、Qrr (反向恢复电荷)：1～1000uC
1～50uC±5%±0.1 uC
50～200uC±5%±1 uC
200～1000uC±5%±2 uC
3、trr(反向恢复时间)：20～2000ns
20～100±5%±1ns
100～500±5%±2ns
500～2000±3%±5ns
4、Erec(反向关断能量损失)：0.5～1000mJ
0.5～1mJ±5%±0.01mJ
1～50mJ±5%±0.1mJ
50～200mJ±5%±1mJ
200～1000mJ±5%±2mJ
测试条件：
1、正向电流IFM：50～1000A
50～200A±3%±1A
200～1000A±3%±2A
2、-di/dt测量范围：200～10000A/us
3、反向关断峰值电压VRRpk：200～1000V±3%±2V
4、dv/dt测量范围：100～10000V/us
2.4短路技术条件
1、Vcc： 200～1000V
200～1000V±3%±2V
2、一次短路电流：20000A
500～1000A±3%±2A
1000A～5000A±2%±5A
5000A～20000A±2%±10A
3、tp：5-30us
2.5雪崩技术条件
1、Vce：50～500V±3%±5V
500～1000V±3%±5V
2、Ic：1A～50A
1A～9.9A±3%±50mA
10A～50A±3%±1A
3、EA：10mJ～20J
10mJ～1000mJ±3%±1mJ
1J～20J±3%±10mJ
4、脉冲宽度：40—1000uS可设定
5、测试频率：单次
2.6 NTC测试技术条件
阻值测量范围：0～20KΩ
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