银芝麻重防腐涂料——山东金芝麻环保
(二)制品制造工艺
单纯用α-SiC制造制品,由于其硬度较大,将其磨成微米级细粉相当困难,而且颗粒呈板状或针状,用它压成的坯体,即使在加热到它的分解温度附近,也不会发生明显的收缩,难以烧结,制品的致密化程度低,能力也差。因此,在工业生产制品时,在α-SiC中加入少量的颗粒呈球形的β-SiC细粉和采用添加物的办法来获
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(二)制品制造工艺
单纯用α-SiC制造制品,由于其硬度较大,将其磨成微米级细粉相当困难,而且颗粒呈板状或针状,用它压成的坯体,即使在加热到它的分解温度附近,也不会发生明显的收缩,难以烧结,制品的致密化程度低,能力也差。因此,在工业生产制品时,在α-SiC中加入少量的颗粒呈球形的β-SiC细粉和采用添加物的办法来获得致密制品。作为制品结合剂的添加物,按种类可分为氧化物、氮化物、石墨等多种,如粘土、氧化铝、锆英石、莫来石、石灰、玻璃、氮化硅、氧氮化硅、石墨等。成型粘结剂溶液可用羧纤维素、聚乙烯醇、木质素、淀粉、氧化铝溶胶、二氧化硅溶胶等其中的一种或几种。

在光伏领域的应用
光伏逆变器对光伏发电作用非常重要,不仅具有直交流变换功能,还具有地发挥太阳电池性能的功能和系统故障保护功能。归纳起来有自动运行和停机功能、功率跟踪控制功能、防单独运行功能(并网系统用)、自动电压调整功能(并网系统用)、直流检测功能(并网系统用)、直流接地检测功能(并网系统用)等。
国内逆变器厂家对新技术和新器件的应用还是太少,以碳化硅为功率器件的逆变器,并且开始大批量应用,碳化硅内阻很少,可以把效率做很高,开关频率可以达到10K,也可以节省LC滤波器和母线电容。碳化硅材料在光伏逆变器应用上或有突破。
在半导体领域的应用
碳化硅一维纳米材料由于自身的微观形貌和晶体结构使其具备更多的优异性能和更加广泛的应用前景,被普遍认为有望成为第三代宽带隙半导体材料的重要组成单元。
第三代半导体材料即宽禁带半导体材料,又称高温半导体材料,主要包括碳化硅、氮化、氮化铝、氧化锌、金刚石等。这类材料具有宽的禁带宽度(禁带宽度大于2.2ev)、高的热导率、高的击穿电场、高的抗辐射能力、高的电子饱和速率等特点,适用于高温、高频、抗辐射及大功率器件的制作。第三代半导体材料凭借着其优异的特性,未来应用前景十分广阔。

除了用烧结法制造碳化硅制品以外,自从发明了热压烧结技术以后,碳化硅制品也可以用热压法制造,并且可以获得更优良的烧结性能。热压工艺是把坯料的成型和烧成结合为一个过程,即坯料在高温同时又在压力下一次成型并烧结。这种方法在冶金工业中用于粉末冶金已有数十年的历史,在特种耐火材料工业生产中已经逐步推广应用。采用热压成型烧结,可以缩短制造时间,降结温度,改善制品的显微结构,增加制品的致密度,提高材料的性能。选择适当的温度、压力和坯料粒度等热压工艺条件,就可达到优良的热压效果。热压工艺对难熔化合物的制造特别有用。热压用的模具因为既要经受1000℃以上的高温,并且还要在高温下承受数kN的压力,因此,对制造难熔化合物制品一般均用高强度石墨作模具。

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