半导体芯片退火
半导体芯片在经过离子注入以后就需要退火。因为往半导体中注入杂质离子时，高能量的入射离子会与半导体晶格上的原子碰撞，使一些晶格原子发生位移，结果造成大量的空位，将使得注入区中的原子排列混乱或者变成为非晶区，所以在离子注入以后必须把半导体放在一定的温度下进行退火，以恢复晶体的结构和消除缺陷。将钢加热到10501150℃后水淬主要目的是使碳化物溶于奥氏体中并将此状态保留到
真空热处理加工
半导体芯片退火
半导体芯片在经过离子注入以后就需要退火。因为往半导体中注入杂质离子时，高能量的入射离子会与半导体晶格上的原子碰撞，使一些晶格原子发生位移，结果造成大量的空位，将使得注入区中的原子排列混乱或者变成为非晶区，所以在离子注入以后必须把半导体放在一定的温度下进行退火，以恢复晶体的结构和消除缺陷。将钢加热到10501150℃后水淬主要目的是使碳化物溶于奥氏体中并将此状态保留到室温这样钢的耐蚀性会有很大改善。同时，退火还有施主和受主杂质的功能，即把有些处于间隙位置的杂质原子通过退火而让它们进入替代位置。退火的温度一般为200~800C，比热扩散掺杂的温度要低得多。
介质中产生应力腐蚀。当合Ni量达到8一10时奥氏体不锈钢应力腐蚀倾向性
继续增加 含Ni量至4550应力腐蚀倾向逐渐减小直至消失。 防止奥氏体不锈钢应
力腐蚀的主要途径是加入Si24并从冶炼上将N含量控制在0.04以下。此外还应
尽量减少P、Sb、Bi、As等杂质的含量 。另外可选用A-F双用钢它在Cl-和OH-介质中对
应力腐蚀不敏感。当初始的微细裂纹遇到铁素体相后不再继续扩展体素体含量在6%左右。
3去应力处理。去应力处理是消除钢在冷加工或焊接后的残余应力的热处理工艺一般加
热到300350℃回火。对于不 含稳定化元素Ti、Nb的钢加热温度不超过450t以免析
出铬的碳化物而引起晶间腐蚀。对于超低碳和合Ti、Nb不锈钢的冷加工件和焊接件需在
500950℃,加热 然后缓冷消除应力消除焊接应力取上限温度可以减轻晶间腐蚀
倾向并提高钢的应力腐蚀抗力
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