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肖特基(Schottky)二极管的特点是正向压降 VF 比较小。在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点:耐压比较低，漏电流稍大些。选用时要多做考虑。
另外，除了普通PN结二极管的特性参数之外，用于检波和混频的SBD电气参数还包括中频阻抗(SBD施加额定本振功率时对特定中频所呈现的阻抗，一般在2
肖特基二极管封装
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肖特基(Schottky)二极管的特点是正向压降 VF 比较小。在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点:耐压比较低，漏电流稍大些。选用时要多做考虑。
另外，除了普通PN结二极管的特性参数之外，用于检波和混频的SBD电气参数还包括中频阻抗(SBD施加额定本振功率时对特定中频所呈现的阻抗，一般在200Ω~600Ω之间)、电压驻波比(一般≤2)和噪声系数等。
SBD的正向压降和反向漏电流直接影响SBD整流器的功率损耗，关系到系统效率。低正向压降要求有低的肖特基势垒高度，而较高的反向击穿电压要求有尽可能高的势垒高度，这是相矛盾的。因此，对势垒金属必须折衷考虑，故对其选择显得十分重要。对N型SiC来说，Ni和Ti是比较理想的肖特基势垒金属。由于Ni/SiC的势垒高度高于Ti/SiC，故前者有更低的反向漏电流，而后者的正向压降较小。
关于肖特基二极管的应用，ASEMI总结出以下几点：
肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode)，具有正向压降低（0.4—1.0V）、反向恢复时间很短（0-10纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般150V，多用于低电压场合。
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