迄今为止，有关反应烧结碳化硅机理的研究报道很多，主要有以下三种机理①扩散控制机理；②溶解沉淀机理；③界面控制机理。
碳化硅
界面控制机理
硅与碳反应生成碳化硅，新生成的碳化硅是高度畸变，存在着非常大的内应力，当内应力大于碳化硅的张应力时，新生成的碳化硅将从碳基体剥落下来，从而暴露出新鲜的未反应的碳表面，硅与碳继续反应生成碳化硅，反应速率受硅与碳接触界面的面积的控制。
以上三种机制虽然对特定试验现象做出了合理解释，但单独用于解释所有的C/Si反应试验现象时均遇到了困难，例如，溶解-沉淀机制难以对碳基体表面出现的致密碳化硅层作机制还难以解释碳纤维与熔融硅反应时所生成不连续的碳化硅颗粒，可见上述三种反应机制在其适用范围上均具有一定的局限性。
（作者：崔经理 来源：山东龙元材料有限公司）
