编辑：TH
整流方桥MT5010电性参数是50A100V，芯片材质采用GPP芯片。MT5010内部含有5个GPP芯片，芯片尺寸达180MIL，正向电流达50A，正向电压1.05V，浪涌电流是500A，漏电流在500uA的范围内，恢复时间快达500ns。
：ASEMI
封装：D-63
特性：单相
高压三相整流桥参数封装
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整流方桥MT5010电性参数是50A100V，芯片材质采用GPP芯片。MT5010内部含有5个GPP芯片，芯片尺寸达180MIL，正向电流达50A，正向电压1.05V，浪涌电流是500A，漏电流在500uA的范围内，恢复时间快达500ns。
：ASEMI
封装：D-63
特性：单相整流方桥
电性参数：50A1000V
芯片个数：5
浪涌电流Ifsm：500A
工作温度：-55~+150℃
恢复时间(Trr)：500ns
引线数量：5
MT5010的电性参数：正向平均电流50A；反向峰值电压1000V
MT5016的包装方式：100/盒，500/箱
整流桥被广泛适用于：电源、充电器、适配器、LED灯饰、大小家电、民用及工业设备等产品中使用
ASEMI
36MT120单相整流方桥
参数规格：电流：35A；电压：1200V；
盒装：20PCS/盒。
采用无氧铜材料，镀亮锡，防止氧化，易上锡易焊接
内阻小导电性好，承受大电流冲击发热小
应用于工业中大部分的三相交流用电设备，马达，电焊机，发电机，变频器，通用电磁炉，工业电源控 制柜，数控车床，通讯等大型机电设备。
三相桥式全控整流电路，共阴极组和共阳极组同时控制，控制角为alpha；。由于三相桥式整流电路是由两组三相半波电路串联而成，其整流电压是三
相半波电路的两倍。显然，当输出电压相同时，三相桥式晶闸管所需的反向电压可比三相半波线路所需的反向电压低一半。为了便于分析，三相全控
桥的6个晶闸管的触发顺序为1-2-3-4-5-6。晶闸管编号如下：晶闸管KP1、KP4接a相，kp3、kp6接B相，kp5、KP2接C相，KP2、KP4、kp6组成共阳极组
。
三相整流模块 MDS50HB160 ASEMI原装大功率
：ASEMI
型号：MDS30HB160
正向平均电流：30A
反向峰值耐压：1600V
漏电流：10uA
芯片材质：GPP
芯片个数：4个
引线（端子）：5个
封装：MDS-HB
操作温度：-40℃～+170℃
桥式整流模块，采用进口方形芯片、芯片支撑板，经特殊烧结工艺，保证焊接层无空洞，使用更可靠。采用DCB板及其它导热绝缘材料，导热性能好，导热基板不带电（MDY2000型模块除外），保证使用安全。
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