编辑：TH
整流方桥MT5010电性参数是50A100V，芯片材质采用GPP芯片。MT5010内部含有5个GPP芯片，芯片尺寸达180MIL，正向电流达50A，正向电压1.05V，浪涌电流是500A，漏电流在500uA的范围内，恢复时间快达500ns。
：ASEMI
封装：D-63
特性：单相
LED三相整流桥参数封装
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整流方桥MT5010电性参数是50A100V，芯片材质采用GPP芯片。MT5010内部含有5个GPP芯片，芯片尺寸达180MIL，正向电流达50A，正向电压1.05V，浪涌电流是500A，漏电流在500uA的范围内，恢复时间快达500ns。
：ASEMI
封装：D-63
特性：单相整流方桥
电性参数：50A1000V
芯片个数：5
浪涌电流Ifsm：500A
工作温度：-55~+150℃
恢复时间(Trr)：500ns
引线数量：5
MT5010的电性参数：正向平均电流50A；反向峰值电压1000V
MT5016的包装方式：100/盒，500/箱
整流桥被广泛适用于：电源、充电器、适配器、LED灯饰、大小家电、民用及工业设备等产品中使用
大功率整流桥D50XT160 三相，替代台半， 日本新电元同型号参数。
ASEMI
封装 DXT-5
温度-55~+150℃
芯片材质 GPP硅
正向平均电流 50Amp
峰值反向耐压 1600V
浪涌电流IFSM 500A
三相整流桥由三对反串联的二极管并联组成，使用三相电压，直流输出电压为交流输入电压的2.34倍。
ASEMI 全新原装DH2F200N6S、DH2F200N4S 大功率快恢复模块
：ASEMI
型号：DH2F200N6S
正向平均电流：200A
反向峰值耐压：600V
漏电流：10uA
芯片材质：GPP
封装：DH2F-2
操作温度：-40℃～+170℃
特点：大功率
散热条件的好坏，直接影响模块的可靠和安全。不同型号模块在其额定电流工作状态下，环境温度为40℃时所需散热器尺寸、风机的规格各不相同，具体请参照使用说明书进行选取。
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