常见的氧化锌（ZnO）属六方晶系,纤锌矿结构,点群为6mm,znO晶体中,Z离子和O离子沿c轴交替堆积,氧化锌（ZnO）单晶具有极性。氧化锌的能带隙和激子束缚能较大，透明度高，有优异的常温发光性能，在半导体领域的液晶显示器、薄膜晶体管、发光二极管等产品中均有应用。以氯化锌和NaoH为原料，在水热条件下成功制备出梭状、片状和棒状的纳米级氧化锌晶体，确定了适宜的反应条件，实现了纳米氧化
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常见的氧化锌（ZnO）属六方晶系,纤锌矿结构,点群为6mm,znO晶体中,Z离子和O离子沿c轴交替堆积,氧化锌（ZnO）单晶具有极性。氧化锌的能带隙和激子束缚能较大，透明度高，有优异的常温发光性能，在半导体领域的液晶显示器、薄膜晶体管、发光二极管等产品中均有应用。以氯化锌和NaoH为原料，在水热条件下成功制备出梭状、片状和棒状的纳米级氧化锌晶体，确定了适宜的反应条件，实现了纳米氧化锌形貌的可控制备；制备出具有良好红外吸收特性的铁元素和钴元素掺杂的纳米级片状氧化锌晶体。
氧化锌（ZnO）是Ⅱ-Ⅵ族纤锌矿结构的半导体材料，禁带宽度为3.37eV；另外，其激子束缚能(60meV)比GaN(24meV)、ZnS(39meV)。大尺寸氧化锌晶体的形态可控生长的关键是控制成核和生长过程。晶核的结晶形态决定着晶体的形态,生长过程的环境条件也影响着晶体的生长过程。ZnO是一种典型的宽带隙半导体材料,高质量ZnO晶体的生长具有非常重要的研究意义。目前,ZnO晶体的生长方法主要有气相法,水热法和助熔剂法。
ZnO半导体室温带隙为3.37eV,且束缚激子能高达60MeV,使其在紫外半导体光电器件方面具有很大潜在应用价值。在各种具有四面体结构的半导体材料中，氧化锌有着高的压电张量。该特性使得氧化锌成为机械电耦合重要的材料之一。氧化锌也被用于混凝土生产，因为它帮助提高混凝土耐水性和改善需要的加工时间。这种无机化合物另外一个重要用途是作为烟过滤剂。
氧化锌其他一些值得注意的作用还包括生产油漆，防腐蚀涂料，润滑剂，粘合剂，电池，阻燃剂，密封剂，塑料，陶瓷，水泥和玻璃制造等。氧化锌（ZnO）是Ⅱ-Ⅵ族纤锌矿结构的半导体材料，禁带宽度为3.37eV；另外，其激子束缚能(60meV)比GaN(24meV)、ZnS(39meV)。氧化锌（ZnO）单晶是具有半导体、发光、压电、电光等多种用途的功能晶体材料。不仅可用于制作紫外光电器件，也是移动通讯基片材料和闪烁材料。
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